【技术实现步骤摘要】
适用于压接式功率半导体器件的测试装置
[0001]本专利技术涉及一种测试装置，尤其是一种适用于压接式功率半导体器件的测试装置。
技术介绍
[0002]压接式IGBT器件与传统的焊接式IGBT器件相比，压接式IGBT器件的主要特点如下：1)、电流电压容量更大，目前日立ABB的压接式产品最大电压及电流容量分别是5200V和3000A，其短路电流更是达到了18000A；2)、由于压接式器件无键合引线，需要外部施加压力来实现芯片
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封装
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散热器三者之间良好的电学接触及热学接触；3)、失效后呈短路状态。如此，当串联足够多的器件时，即使少数压接式IGBT失效也不影响系统级的正常工作，该特性有利于通过冗余设计来提高系统级的可靠性。
[0003]目前，压接式IGBT器件已成为特高压柔性直流输电(HVDC)、静止无功发生器(VSG)和静止同步补偿器(STATCOM)等的关键核心器件，由于其独特的应用工况，对其可靠性要求非常高，即使出现失效也必须可靠地呈现短路特性，否则会导致电网等出现瘫痪而造成严重
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适用于压接式功率半导体器件的测试装置，其特征是：包括测试架体、设置于所述测试架体内的器件测试抽屉组、用于测量测试压力状态的压力测量装置(6)以及设置于测试架体内的测试升降驱动机构；器件测试抽屉组内的器件测试抽屉在测试架体内沿测试升降驱动机构的升降方向上呈层状分布；器件测试抽屉包括与测试架体内抽屉定位导向组件适配连接的抽屉外框架、与抽屉外框架适配连接的抽屉内框架(31)、用于控制抽屉内框架(31)在抽屉外框架内位置状态的抽屉内框架驱动机构以及设置于抽屉外框架内的抽屉内加热器(23)；通过抽屉内框架驱动机构使得所在的器件测试抽屉处于打开状态时，待测IGBT器件(18)能置于抽屉内框架(31)内或将抽屉内框架(31)内的待测IGBT器件(18)取出；通过抽屉内框架驱动机构使得所在的器件测试抽屉处于关闭状态时，抽屉内框架(31)内的待测IGBT器件(18)置于抽屉内加热器(23)的正下方；通过测试升降驱动机构使得器件测试抽屉组内所有相邻的器件测试抽屉相互接触配合，对任意两个相互接触配合的器件测试抽屉，位于上方器件测试抽屉内的待测IGBT器件(18)的上侧面与所在器件测试抽屉内的抽屉内加热器(23)紧密接触，位于上方器件测试抽屉内的待测IGBT器件(18)的下侧面与下方器件测试抽屉内的抽屉内加热器(23)对应，以利用与待测IGBT器件(18)两侧面正对应的抽屉内加热器(23)对所述待测IGBT器件(18)加热至所需的测试温度并同时提供所需的接触测试压力；邻近测试升降驱动机构的器件测试抽屉，所述器件测试抽屉内待测IGBT器件(18)的下侧面与测试架体内的支撑板加热器(5)对应，所述器件测试抽屉内待测IGBT器件(18)的上侧面与所在器件测试抽屉内的抽屉内加热器(23)紧密接触，以利用支撑板加热器(5)以及抽屉内加热器(23)对所述待测IGBT器件(18)加热至所需的测试温度并能同时提供所需的接触测试压力。2.根据权利要求1所述的适用于压接式功率半导体器件的测试装置，其特征是：所述抽屉外框架包括呈对称分布的外框架连板(25)以及设置于每一外框架连板(25)内侧的加热器支撑连接架(28)，抽屉内加热器(23)通过加热器支撑连接架(28)与外框架连板(25)适配连接；通过测试升降驱动机构以及抽屉定位导向组件驱动抽屉外框架在测试架体内运动，以使得相邻的器件测试抽屉相互接触配合，且抽屉内加热器(23)、抽屉内框架驱动机构以及抽屉内框架(31)均能跟随抽屉外框架同步运动。3.根据权利要求2所述的适用于压接式功率半导体器件的测试装置，其特征是：在所述抽屉内加热器(23)的侧边设置加热器连接第一定位体，在加热器支撑连接架(28)上设置与加热器连接第一定位体适配的加热器连接第二定位体，通过加热器连接第一定位体以及加热器第二连接定位体间的间隙配合，以使得抽屉内加热器(23)与加热器支撑连接架(28)适配连接。4.根据权利要求1至3任一项所述的适用于压接式功率半导体器件的测试装置，其特征是：所述抽屉内框架(31)包括内框架体(37)以及设置于内框架体(37)内的器件托架，待测IGBT器件(18)通过器件托架置于抽屉内框架(31)内；内框架体(37)与抽屉外框架内的内框架运动导轨(29)适配连接，通过抽屉内框架驱动机构驱动内框架体(37)沿内框架运动导轨(29)运动，以使得所述内框架体(37)位于抽屉外
框架内或从抽屉外框架内伸出，内框架体(37)位于抽屉...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙元鹏，张文亮，宋志威，张军辉，
申请(专利权)人：山东阅芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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