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串联式背电极光电转换装置制造方法及图纸

技术编号:3228827 阅读:178 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种串联式背电极光电转换装置,该装置表面层上无电极、表面层下至少设有:缓冲层,含至少一个P-N结的、能带隙大于等于1.42eV的光吸收上区,含至少一个P电极和/或集电栅、至少一个N电极和/或集电栅以及透明绝缘隔层的电隔区,含至少一个P-N结的、能带隙大于等于0.67eV的光吸收下区,过渡层,P或N型区的集电栅和/或电极。(*该技术在2017年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于光电转换制品制造领域,涉及一种光电转换装置,特别涉及一种 串联式背电极光电转换装置
技术介绍
太阳能作为一种清洁的、没有任何污染的绿色能源,以及太阳能发电做为动力供应主要 来源之一的可能性,已日益引起人们关注。然而,由于技术问题,迄今商业化的光伏发电装置/太阳能电池的价格太高、光电转换效 率过低。在城市电力系统中,高昂的一次性投资成本无疑更为光伏发电装置/太阳能电池产品 推广增加了难度,大规模开发和利用光伏太阳能发电,提高电池的光电转换效率和降低生产 成本成为核心所在。因此,提高效率,降低成本,扩大规模成为现今开发、生产光伏发电装 置/太阳能电池的主题。中国专利公开说明书CN200510003971. 2公开了一种光电转换装置,该装置使用电阻率和 透过率之间关系的透明电极或者透明导电膜来实现光电转换率。在透明绝缘性基板上至少依 次层积有第一透明电极,由p型硅层、i型硅层以及n型硅层构成的pin结构或者nip结 构的微结晶硅层,第二透明电极以及背侧电极,其中,所述第一透明电极以及所述第二透明 电极的至少某一项是添加Ga的ZnO层,所述Ga的含量相对于Zn为小于或等于13原本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种串联式背电极光电转换装置,该装置表面层表面和/或底面为平面或非平坦结构形状,装置表面层表面或覆有减反射膜层,其特征在于:该装置表面层上无电极、表面层下至少设有:缓冲层,含至少一个P-N结的、能带隙大于等于1.42eV的光吸收上区,含至少一个P电极和/或集电栅、至少一个N电极和/或集电栅以及透明绝缘隔层的电隔区,含至少一个P-N结的、能带隙大于等于0.67eV的光吸收下区,过渡层,P或N型区的集电栅和/或电极。

【技术特征摘要】
1、一种串联式背电极光电转换装置,该装置表面层表面和/或底面为平面或非平坦结构形状,装置表面层表面或覆有减反射膜层,其特征在于该装置表面层上无电极、表面层下至少设有缓冲层,含至少一个P-N结的、能带隙大于等于1.42eV的光吸收上区,含至少一个P电极和/或集电栅、至少一个N电极和/或集电栅以及透明绝缘隔层的电隔区,含至少一个P-N结的、能带隙大于等于0.67eV的光吸收下区,过渡层,P或N型区的集电栅和/或电极。上无电极、表面层下至少设有:缓冲层,含至少一个P-N结的、能带隙大于等于1.42eV的光吸收上区,含至 少一个P电极和/或集电栅、至少一个N电极和/或集电栅以及透明绝缘隔层的电隔区,含至 少一个P-N结的、能带隙大于等于0.67eV的光吸收下区,过渡层,P或N型区的集电栅和/ 或电极。2、 根据权利要求1所述的串联式背电极光电转换装置,其特征在于所述的减反 射膜层的厚度为10 200纳米。3、 根据权利要求1所述的串联式背电极光电转换装置,其特征在于所述的缓冲 层是单层或多层膜;其厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘津平刘文韬高霞
申请(专利权)人:高霞
类型:实用新型
国别省市:12[中国|天津]

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