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本实用新型涉及一种串联式背电极光电转换装置，该装置表面层上无电极、表面层下至少设有：缓冲层，含至少一个Ｐ－Ｎ结的、能带隙大于等于１．４２ｅＶ的光吸收上区，含至少一个Ｐ电极和／或集电栅、至少一个Ｎ电极和／或集电栅以及透明绝缘隔层的电隔区，含至...
该专利属于高霞所有，仅供学习研究参考，未经过高霞授权不得商用。

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