【技术实现步骤摘要】
本技术涉及发光二极管,尤其涉及一种萤光转换型的发光二极管。
技术介绍
目前公知的萤光转换型发光二极管的制造方式依序为固晶,烘烤,焊接阴、阳极导电引线3,涂敷萤光胶体5,烘烤,封胶。其制作过程繁琐,并且涂敷萤光胶体的过程中,容易因涂布萤光胶体的多寡,造成发光颜色的偏差。其内部结构如图1所示,发光二极管的发光芯片6被置于主支架的杯形底部,萤光胶体5涂敷于发光芯片6之上。由于涂敷于发光芯片6正上方的萤光胶体5由无数个化学颗粒粉末所组成,容易造成光线阻挡,因而降低发光二极管的发光效率。
技术实现思路
本技术的目的在于解决现有技术中,因萤光胶体中萤光化学颗粒粉末阻挡光线,造成的萤光转换型发光二极管发光效率低落;及克服因萤光体胶涂敷不均,造成的萤光转换型发光二极管颜色偏差的问题。本技术采取如下的技术方案在包括主支架、分支架、导电引线、萤光胶体、发光芯片的萤光转换型发光二极管中,所述萤光胶体涂敷于主支架的杯形底部,所述发光芯片置于萤光胶体之上,萤光胶体包覆于发光芯片周围及下方。该萤光胶体为萤光粉与固定胶的混合物。由于发光芯片为半透明材质,当发光芯片导电后发光,光线经底部涂布的萤光物质反射后与正面发光之颜色相互混合后,形成两种或两种以上波长之混合光。发光芯片的整体可为半透明或不透明,外观可为任何形状。发光芯片的两电极焊垫可位于同一面上,形状相异,以利方便区分正负极性。当发光芯片的两电极焊垫位于同一面时,其中一个电极可以制成不超过正、负极隔离边界的大面积反射层,其反射面可由金属或非金属制成,为半透明或不透明。与现有技术相比较,本技术的萤光转换型发光二极管具有以下有益效果1.提 ...
【技术保护点】
一种萤光转换型发光二极管,包括主支架(1)、分支架(2)、导电引线(3)、萤光胶体(5)、发光芯片(6),其特征是:所述发光芯片(6)置于所述萤光胶体(5)之上。
【技术特征摘要】
1.一种萤光转换型发光二极管,包括主支架(1)、分支架(2)、导电引线(3)、萤光胶体(5)、发光芯片(6),其特征是所述发光芯片(6)置于所述萤光胶体(5)之上。2.根据权利要求1所述的萤光转换型发光二极管,其特征是所述发光芯片(6)周围及下方均包覆所述萤光胶体(5)。3.根据权利要求1或2所述的萤光转换型发光二极管,其特征是所述萤光胶体(5)涂敷于主支架(1)的杯形底部。4.根据权利要求3所述的萤光转换型发光二极管,其特征是所述萤光胶体(5)为萤光粉与固定胶的混合物。5.根据权利要求1或2所述的萤光转换型发光二极管,其特征是所述发光芯片(6)接近主支架(1)...
【专利技术属性】
技术研发人员:简稚文,李金霞,
申请(专利权)人:简稚文,李金霞,
类型:实用新型
国别省市:71[]
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