具有高效率发光效果的发光二极管芯片封装结构制造技术

一种具有高效率发光效果的发光二极管芯片封装结构，其包括：一基板单元、一发光单元、及一封装胶体单元。该基板单元具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上的一正极导电轨迹与一负极导电轨迹。该发光单元具有多个设置于该基板本体上的发光二极管芯片，其中每一个发光二极管芯片分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹的一正极端与一负极端。该封装胶体单元具有多个分别覆盖于该等发光二极管芯片上的封装胶体。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管芯片封装结构，尤指一种具有高 效率发光效果的发光二极管芯片封装结构。
技术介绍
请参阅图1所示，其为公知发光二极管的第一种封装方法的流程 图。由流程图中可知，公知发光二极管的第一种封装方法，其步骤包括首先，提供多个封装完成的发光二极管(packaged LED),为步骤 S800;接着，提供一条状基板本体(stripped substrate body)，其上具有 一正极导电轨迹(positive electrode trace)与一负极导电轨迹(negative electrode trace),为步骤S802;最后，依序将每一个封装完成的发光二 极管(packaged LED)设置在该条状基板本体上，并将每一个封装完 成的发光二极管(packaged LED)的正、负极端分别电性连接于该条 状基板本体的正、负极导电轨迹，为步骤S804。请参阅图2所示，其为公知发光二极管的第二种封装方法的流程 图。由流程图中可知，公知发光二极管的第二种封装方法，其步骤包 括首先，提供一条状基板本体(stripped substrate body),其上具有一 正极导电轨迹(positive electrode trace)与一负极导电轨迹(negative electrode trace),为步骤S900;接着，依序将多个发光二极管芯片(LED chip)设置于该条状基板本体上，并且将每一个发光二极管芯片的正、 负极端分别电性连接于该条状基板本体的正、负极导电轨迹，为步骤 S902;最后，将一条状封装胶体(stri卯ed package colloid)覆盖于该条 状基板本体及该等发光二极管芯片上，以形成一带有条状发光区域 (stripped light-emitting area)的光棒(light bar )，为步骤S卯4 。然而，关于上述公知发光二极管的第一种封装方法，由于每一颗 封装完成的发光二极管(packaged LED)必须先从一整块发光二极管 封装切割下来，然后再以表面黏着技术(SMT)制程，将每一颗封装 完成的发光二极管(packaged LED)设置于该条状基板本体上，因此 无法有效縮短其制程时间，再者，发光时，该等封装完成的发光二极 管(packaged LED)之间会有暗带(dark band)现象存在，对于使用 者视线仍然产生不佳的效果。另外，关于上述公知发光二极管的第二种封装方法，由于所完成的光棒带有条状发光区域，因此第二种封装方法将不会产生暗带(dark band)的问题。然而，因为该条状封装胶体(stripped package colloid)被激发的区域不均，因而造成光棒的光效率不佳(亦即，靠近发光二 极管芯片的封装胶体区域会产生较强的激发光源，而远离发光二极管 芯片的封装胶体区域则产生较弱的激发光源)。因此，由上可知，目前公知的发光二极管的封装方法及其封装结 构，显然具有不便与缺陷存在，而待加以改善之处。于是，本技术设计人有感上述缺陷的可改善之处，且依据多 年来从事此方面的相关经验，悉心观察且研究，并配合学理的运用， 而提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本技术技术方案。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题，在于提供一种具有高效率发光 效果的发光二极管芯片封装结构。本技术的发光二极管结构于发 光时，形成一连续的发光区域，而无亮度不均的情况发生，并且本实 用新型通过芯片直接封装(Chip On Board, COB)制程并利用压模(die mold)的方式，以使得本技术可有效地縮短其制程时间，而能进 行大量生产。再者，本技术的结构设计更适用于各种光源，诸如 背光模块、装饰灯条、照明用灯、或是扫描仪光源等应用，皆为本实 用新型所应用的范围与产品。本技术提供一种具有高效率发光效果的发光二极管芯片封装 结构，包括 一基板单元； 一发光单元，其具有多个电性连接地设置 于该基板单元上的发光二极管芯片；以及一封装胶体单元，其具有多 个分别覆盖于该等发光二极管芯片上的封装胶体。换句话说，为了解决上述技术问题，根据本技术的其中一种 方案，提供一种具有高效率发光效果的发光二极管芯片封装结构，其 包括 一基板单元、 一发光单元、及一封装胶体单元。其中，该基板 单元具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上的一正极导电轨迹与一负极导电轨迹。该发光单元具有多个设置于该基板本体上的发光 二极管芯片，其中每一个发光二极管芯片具有分别电性连接于该基板 单元的正、负极导电轨迹的一正极端与一负极端。该封装胶体单元具 有多个分别覆盖于该等发光二极管芯片上的封装胶体。另外，本技术的发光二极管芯片封装结构，可更进一步包括 下例两种结构-第一种 一框架单元，其为一层覆盖于该基板本体上及包覆每一个封装胶体四周的框架层，以露出每一个封装胶体的上表面。第二种 一框架单元，其具有多个分别围绕该等封装胶体的框体，以分别露出每一个封装胶体的上表面，其中该等框体彼此分离地设置 于该基板本体上。因此，本技术的发光二极管结构在发光时，形成一连续的发 光区域，而无亮度不均的情况发生。并且，本技术通过芯片直接封装(Chip On Board, COB)制程并利用压模(die mold)的方式，以 使得本技术可有效地縮短其制程时间，而能进行大量生产。为了能更进一步了解本技术为达到预定目的所采取的技术、 手段及功效，请参阅以下有关本技术的详细说明与附图，相信本 技术的目的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然 而所附附图仅提供参考与说明用，并非用来对本技术加以限制。附图说明图1为公知发光二极管的第一种封装方法的流程图； 图2为公知发光二极管的第二种封装方法的流程图； 图3为本技术封装方法的第一实施例的流程图；图3a至图3d分别为本技术封装结构的第一实施例的封装 流程立体示意图；图3A至图3D分别为本技术封装结构的第一实施例的封装 流程剖面示意图；图4为本技术发光二极管芯片通过覆晶(flip-chip)的方式达 到电性连接的示意图；图5为本技术封装方法的第二实施例的流程图；图5a至图5c分别为本技术封装结构的第二实施例的部分封装流程立体示意图；图5A至图5C分别为本技术封装结构的第二实施例的部分封装流程剖面示意图；图6为本技术封装方法的第三实施例的流程图；图6a至图6b分别为本技术封装结构的第三实施例的部分封装流程立体示意图；以及图6A至图6B分别为本技术封装结构的第三实施例的部分封装流程剖面示意图。主要元件附图标记说明基板单元 1基板本体 1 0金属层 1 0 A电木层 1 0 B正极导电轨迹 1 1负极导电轨迹1 2基板单元1 ,正极导电轨迹1 1 z负极导电轨迹1 2 7纵向发光二极管芯片排2发光二极管芯片2 0正极端2 0 1负极端2 0 2发光二极管芯片2 0 '正极端2 0 1 z负极端2 0 2 z条状封装胶体3封装胶体3 0封装胶体3 0 '框架单元4框架层4 0条状框架层4 ,框体4 0 z导线W锡球B第一模具单元M 1第一上模具M 1 1第一通道M 1 1 0第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高效率发光效果的发光二极管芯片封装结构，其特征在于，包括：　　　　一基板单元；　　　　一发光单元，其具有多个电性连接地设置于该基板单元上的发光二极管芯片；以及　　　　一封装胶体单元，其具有多个分别覆盖于该等发光二极管芯片上的封装胶体。

【技术特征摘要】
1、一种具有高效率发光效果的发光二极管芯片封装结构，其特征在于，包括一基板单元；一发光单元，其具有多个电性连接地设置于该基板单元上的发光二极管芯片；以及一封装胶体单元，其具有多个分别覆盖于该等发光二极管芯片上的封装胶体。2 、如权利要求1所述的具有高效率发光效果的发光二极管芯片 封装结构，其特征在于该基板单元为一印刷电路板、 一软基板、一 铝基板、 一陶瓷基板、或一铜基板。3 、如权利要求1所述的具有高效率发光效果的发光二极管芯片 封装结构，其特征在于该基板单元具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上的一正极导电轨迹与一负极导电轨迹。4 、如权利要求3所述的具有高效率发光效果的发光二极管芯片 封装结构，其特征在于该基板本体包括一金属层及一成形在该金属层上的电木层。5 、如权利要求3所述的具有高效率发光效果的发光二极管芯片封装结构，其特征在于该正、负极导电轨迹为铝线路或银线路。6 、如权利要求3所述的具有高效率发光效果的发光二极管芯片封装结构，其特征在于每一个发光二极管芯片具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹的一正极端与一负极端。7 、如权利要求6所述的具有高效率发光效果的发光二极管芯片 封装结构，其特征在于每一个发光二极管芯片的正、负极端通过两相对应的导线并以打线的方式，以与该正、负极导电轨迹产生电性连接。8 、如权利要求6所述的具有高效率发光效果的发光二极管芯片 封装结构，其特征在于每一个发光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪秉龙，庄峰辉，吴文逵，
申请(专利权)人：宏齐科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]