太阳能电池制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池制备方法，包括获取单晶硅片；在单晶硅片的表面形成吸杂层，其中吸杂层至少包括多晶硅层和/或掺磷硅层；利用吸杂层对单晶硅片进行吸杂处理；在吸杂处理结束后去除吸杂层；在去除吸杂层后的单晶硅片的单侧表面形成发射极；形成发射极后，在单晶硅片的表面分别形成钝化层。本发明专利技术至少通过多晶硅层和/或掺磷硅层形成的吸杂层对单晶硅片进行吸杂，有效解决现有技术中由于硅片中杂质的存在，导致由硅片所制作的太阳能电池片的性能有所降低的问题。片的性能有所降低的问题。片的性能有所降低的问题。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，更具体地，涉及一种太阳能电池制备方法。

技术介绍

[0002]目前，在所有的太阳能电池中，晶体硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，但是在利用硅片制作太阳能电池片过程中，并没有对硅片进行吸杂处理，由于硅片中杂质的存在，导致由硅片所制作的太阳能电池片的性能有所降低，因此需要在制作太阳能电池片的过程中对硅片进行除杂。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种太阳能电池制备方法，至少通过多晶硅层和/或掺磷硅层形成的吸杂层对单晶硅片进行吸杂，有效解决现有技术中由于硅片中杂质的存在，导致由硅片所制作的太阳能电池片的性能有所降低的问题。
[0004]本专利技术提供一种太阳能电池制备方法，包括
[0005]获取单晶硅片；
[0006]在所述单晶硅片的表面形成吸杂层，其中所述吸杂层至少包括多晶硅层和/或掺磷硅层；
[0007]利用所述吸杂层对所述单晶硅片进行吸杂处理；
[0008]在所述吸杂处理结束后去除所述吸杂层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：获取单晶硅片；在所述单晶硅片的表面形成吸杂层，其中所述吸杂层至少包括多晶硅层和/或掺磷硅层；利用所述吸杂层对所述单晶硅片进行吸杂处理；在所述吸杂处理结束后去除所述吸杂层；在去除所述吸杂层后的所述单晶硅片的单侧表面形成发射极；形成发射极后，在所述单晶硅片的表面分别形成钝化层。2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述表面包括第一表面；所述吸杂层包括第一吸杂层，所述第一吸杂层形成在所述第一表面，所述第一吸杂层包括所述多晶硅层和所述掺磷硅层中至少一层。3.根据权利要求2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述表面还包括与所述第一表面相对设置的第二表面；所述吸杂层包括第二吸杂层，所述第二吸杂层形成在所述第二表面，所述第二吸杂层包括所述多晶硅层和所述掺磷硅层中至少一层。4.根据权利要求2或3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述吸杂层包括多晶硅层和掺磷硅层；所述多晶硅层位于所述掺磷硅层靠近所述单晶硅片的一侧，或者，所述掺磷硅层位于所述多晶硅层靠近所述单晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭瑶，王钊，郑霈霆，杨洁，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：