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本发明公开了一种太阳能电池制备方法，包括获取单晶硅片；在单晶硅片的表面形成吸杂层，其中吸杂层至少包括多晶硅层和/或掺磷硅层；利用吸杂层对单晶硅片进行吸杂处理；在吸杂处理结束后去除吸杂层；在去除吸杂层后的单晶硅片的单侧表面形成发射极；形成发射...
该专利属于晶科能源股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶科能源股份有限公司授权不得商用。

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