标准单元库边缘单元的版图布局设计方法技术

本发明专利技术公开了一种标准单元库边缘单元的版图布局设计方法，其包括以下步骤：步骤一，根据对应标准单元库的基本参数和流片厂家提供的设计规则文件中最小设计规则，确定边缘单元的基本参数；步骤二，根据所述边缘单元的基本参数和版图设计规则，设计所述边缘单元，具体有六种边缘单元，分别是第一边缘单元、第二边缘单元、第三边缘单元、第四边缘单元、第五边缘单元、第六边缘单元；步骤三，数字后端进行设计边缘单元的版图时，合理插入所述边缘单元于IP模块的外沿，从而实现P阱隔离。本发明专利技术优化标准单元库的设计开发流程，可以实现不同器件类型的标准单元水平拼接，提高数字电路的后端设计效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
标准单元库边缘单元的版图布局设计方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种标准单元库边缘单元的版图布局设计方法。

技术介绍

[0002]FDSOI(Fully Depleted
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Silicon
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On
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Insulator，全耗尽SOI技术)工艺是在集成电路的制造过程中，采用硅、绝缘层、硅的基体结构方式，使器件的寄生电容大幅度降低，改善器件性能。在FDSOI工艺下，可以通过改变P/N阱电位来实现器件性能的调节。为了隔离P阱(P
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Well)，实现P阱的电位调节，避免其因与衬底导通而失效，需要在IP模块101外围添加N阱(N
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Well)保护环(Guard
‑
Ring)102，如图1所示。由于保护环大小与IP模块大小有关，因此针对不同的IP模块，需要定制对应的保护环。

技术实现思路

[0003]针对上述情况，为了克服现有技术的缺陷，本专利技术提供一种标准单元库边缘单元的版图布局设计方法。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种标准单元库边缘单元的版图布局设计方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤一，根据对应标准单元库的基本参数和流片厂家提供的设计规则文件中最小设计规则，确定边缘单元的基本参数；步骤二，根据所述边缘单元的基本参数和版图设计规则，设计所述边缘单元，具体有六种边缘单元，分别是第一边缘单元、第二边缘单元、第三边缘单元、第四边缘单元、第五边缘单元、第六边缘单元；步骤三，数字后端进行设计边缘单元的版图时，合理插入所述边缘单元于IP模块的外沿，从而实现P阱隔离。2.如权利要求1所述的标准单元库边缘单元的版图布局设计方法，其特征在于，所述标准单元库的基本参数包括：第一单元高度、第一电源总线宽度、第一地总线宽度、第一Poly水平布线间距、第一P/N区域分界线、第一N阱边线；所述边缘单元的基本参数包括：第二单元高度、第二电源总线宽度、第二地总线宽度、第二Poly水平布线间距、第二P/N区域分界线、第二N阱边线。3.如权利要求2所述的标准单元库边缘单...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凯，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：