晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。该方法包括：确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果；将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。通过本发明专利技术实现了对晶粒阵列进行自动化缺陷检测，提高了检测效率以及准确性。提高了检测效率以及准确性。提高了检测效率以及准确性。

【技术实现步骤摘要】
晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体检测
，尤其涉及一种晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。

技术介绍

[0002]Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。
[0003]Micro LED芯片器件的制造，先是在蓝宝石类的基板上通过分子束外延的方式生长出来，然后通过巨量转移技术将LED发光器件转移到玻璃基板上。其中，核心技术是纳米级LED发光器件的转运，由于目前转运技术难点较大，转运过程良率难以保证，转运过程中会出现晶粒缺失、偏移，以及翻晶、立晶、晶粒破损等缺陷，这些异常会导致最后的成品出现局部像素点不亮，颜色异常等产品缺陷。因此，Micro LED面板制造厂商需要对经过巨量转移后的二维周期阵列进行缺陷检测。目前，主要是人工检测的方式，例如，基于巨量转移技术在晶圆片上搭载Micro LED晶粒阵列，在进行缺陷检测时，将晶圆片置于显微镜载台上后，调节显微镜聚焦，随机选择若干个视野，人工统计各个视野下各类缺陷数量及其占比，通过各个视野的准确率来对整体转移率进行估算。这种方式检测效率低，且评判标准受人为影响因素比较大，检测结果不可靠。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种晶粒阵列缺陷检测方法，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：
[0006]确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；
[0007]分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果；
[0008]将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。
[0009]可选的，所述确定若干取像区域的步骤包括：
[0010]获取晶圆片上标记图案的位置；
[0011]根据所述标记图案的位置以及标记图案与晶粒阵列的相对位置关系，确定若干取像区域。
[0012]可选的，所述对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测的步骤包括：
[0013]按照预设调度策略将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中的检测节点，其中，分布式检测系统包括多个检测节点；
[0014]检测节点对收到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果。
[0015]可选的，所述按照预设调度策略将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中的检测节点的步骤包括：
[0016]将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中处于空闲状态的任一检测节点。
[0017]可选的，对每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果的步骤包括：
[0018]通过模板匹配技术确定每帧图像中缺失的第一类晶粒；
[0019]计算每帧图像中实际存在的晶粒的理论位置与实际位置间的距离，筛选理论位置与实际位置间的距离大于预设距离的第二类晶粒；
[0020]基于外观检测模型确定每帧图像中外观异常的第三类晶粒；
[0021]确定同属于所述第二类晶粒以及第三类晶粒的第四类晶粒。
[0022]可选的，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：
[0023]在每帧图像中的第一类晶粒的理论位置处显示第一颜色、在第二类晶粒中除第四类晶粒以外的晶粒的实际位置处显示第二颜色、在第三类晶粒中除第四类晶粒以外的晶粒的实际位置处显示第三颜色以及在第四类晶粒的实际位置处显示第四颜色。
[0024]可选的，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：
[0025]获取晶圆片上标记图案的位置；
[0026]根据所述标记图案的位置以及标记图案与晶粒阵列的相对位置关系和晶粒阵列上晶粒的理论排布规则，确定晶粒阵列中每个晶粒的理论位置；
[0027]根据晶粒阵列中每个晶粒的理论位置确定每帧图像中实际存在的晶粒的理论位置。
[0028]可选的，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：
[0029]获取每帧图像中实际存在的晶粒在图像坐标系中的位置；
[0030]根据每帧图像对应的图像坐标系与世界坐标系的转换关系对每帧图像中实际存在的晶粒在图像坐标系中的位置进行转换，得到每帧图像中实际存在的晶粒的实际位置。
[0031]第二方面，本专利技术还提供一种晶粒阵列缺陷检测装置，所述晶粒阵列缺陷检测装置包括：
[0032]确定模块，用于确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；
[0033]检测模块，用于分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果；
[0034]合并模块，用于将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。
[0035]第三方面，本专利技术还提供一种晶粒阵列缺陷检测设备，所述晶粒阵列缺陷检测设备包括处理器、存储器、以及存储在所述存储器上并可被所述处理器执行的晶粒阵列缺陷检测程序，其中所述晶粒阵列缺陷检测程序被所述处理器执行时，实现如上所述的晶粒阵列缺陷检测方法的步骤。
[0036]第四方面，本专利技术还提供一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有晶粒阵列缺陷检测程序，其中所述晶粒阵列缺陷检测程序被处理器执行时，实现如上所述的晶粒阵列缺陷检测方法的步骤。
[0037]本专利技术中，确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检
测，得到每帧图像对应的子检测结果；将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。通过本专利技术实现了对晶粒阵列进行自动化缺陷检测，提高了检测效率以及准确性。
附图说明
[0038]图1为本专利技术实施例方案中涉及的晶粒阵列缺陷检测设备的硬件结构示意图；
[0039]图2为本专利技术晶粒阵列缺陷检测方法一实施例的流程示意图；
[0040]图3为本专利技术晶粒阵列缺陷检测方法一实施例中划分取像区域的场景示意图；
[0041]图4为本专利技术晶粒阵列缺陷检测装置一实施例的功能模块示意图。
[0042]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0043]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0044]第一方面，本专利技术实施例提供一种晶粒阵列缺陷检测设备。
[0045]参照图1，图1为本专利技术实施例方案中涉及的晶粒阵列缺陷检测设备的硬件结构示意图。本专利技术实施例中，晶粒阵列缺陷检测设备可以包括处理器1001(例如中央处理器Central Processing Unit，CPU)，通信总线1002，用户接口1003，网络接口1004，存储器1005。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信；用户本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果；将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。2.如权利要求1所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述确定若干取像区域的步骤包括：获取晶圆片上标记图案的位置；根据所述标记图案的位置以及标记图案与晶粒阵列的相对位置关系，确定若干取像区域。3.如权利要求1所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测的步骤包括：按照预设调度策略将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中的检测节点，其中，分布式检测系统包括多个检测节点；检测节点对收到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果。4.如权利要求3所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述按照预设调度策略将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中的检测节点的步骤包括：将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中处于空闲状态的任一检测节点。5.如权利要求1或3所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，对每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果的步骤包括：通过模板匹配技术确定每帧图像中缺失的第一类晶粒；计算每帧图像中实际存在的晶粒的理论位置与实际位置间的距离，筛选理论位置与实际位置间的距离大于预设距离的第二类晶粒；基于外观检测模型确定每帧图像中外观异常的第三类晶粒；确定同属于所述第二类晶粒以及第三类晶粒的第四类晶粒。6.如权利要求5所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述晶粒阵列缺陷检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴奇峰，王建国，熊柏泰，
申请(专利权)人：武汉精创电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：