石墨盘的清洗方法技术

本发明专利技术涉及一种石墨盘的清洗方法，其包括：使用第一清洗溶液对石墨盘进行第一次清洗，其中，所述第一清洗溶液为碱性清洗液；使用第二清洗溶液对所述石墨盘进行第二次清洗，其中，所述第二清洗溶液为加氧化剂的碱性清洗液；使用第三清洗溶液对所述石墨盘进行第三次清洗，其中，所述第三清洗溶液为酸性清洗液；使用第四清洗溶液对所述石墨盘进行第四次清洗，其中，所述第四清洗溶液为去离子水；对所述石墨盘进行干燥作业以获得所需规格的石墨盘。本申请的清洗方法不但操作简单、成本低廉、清洗效果较好，而且无需使用MOCVD炉内高温烘烤清洗，可以改善现有的石墨盘清洗方式中存在的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
石墨盘的清洗方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种石墨盘的清洗方法。

技术介绍

[0002]砷磷(As/P)系列化合物半导体材料已广泛应用在红黄光发光二极管(Light Emitting Diode，LED)、太阳能电池等领域，其大多采用金属有机化合物化学气相淀积(Metal
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organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)的生长方式，通过加热装置对石墨盘进行加热。具体为，砷磷系列化合物作为生长源材料放置于石墨盘，以热分解反应方式在衬底基板上生长LED、太阳能电池等外延结构。石墨盘使用一定次数后，其表面上会沉积一定的砷磷杂质，若不对石墨盘上的砷磷杂质及时进行清洗，则会对其外延生长品质造成影响。
[0003]目前，常用的石墨盘清洗方式为：炉外烤盘炉高温烘烤或MOCVD炉内高温烘烤。然而，炉外烤盘炉高温烘烤虽然一次可以烤多块石墨盘，但其能耗成本较高，如用其只烤少量石墨盘时就会显得单块石墨盘烘烤成本过高；而MOCVD炉内高温烘烤所需的炉内温度较高，长时间高温可能会破本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨盘的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括：使用第一清洗溶液对石墨盘进行第一次清洗，其中，所述第一清洗溶液为碱性清洗液；使用第二清洗溶液对所述石墨盘进行第二次清洗，其中，所述第二清洗溶液为加氧化剂的碱性清洗液；使用第三清洗溶液对所述石墨盘进行第三次清洗，其中，所述第三清洗溶液为酸性清洗液；使用第四清洗溶液对所述石墨盘进行第四次清洗，其中，所述第四清洗溶液为去离子水；对所述石墨盘进行干燥作业以获得所需规格的石墨盘。2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述使用第一清洗溶液对石墨盘进行第一次清洗，包括：密封所述石墨盘；将密封的所述石墨盘放置于清洗架上；将所述石墨盘放入所述第一清洗溶液中进行浸泡；将浸泡后的所述石墨盘进行第一次鼓泡清洗；将经过所述第一次鼓泡清洗的所述石墨盘的表面进行刷洗；将所述石墨盘进行第二次鼓泡清洗。3.如权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述使用第二清洗溶液对所述石墨盘进行第二次清洗，包括：将所述石墨盘进行第三次鼓泡清洗；将经过所述第三次鼓泡清洗的所述石墨盘的表面进行刷洗；将所述石墨盘进行第四次鼓泡清洗。4.如权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述使用第三清洗溶液对所述石墨盘进行第三次清洗，包括：将所述石墨盘进行第一次去离子水冲洗；将所述石墨盘放入所述第三清洗溶液进行第五次鼓泡清洗。5.如权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述使用第四清洗溶液对所述石墨盘进行第四次清洗，包括：将所述石墨盘进行第二次去离子水冲洗；将所述石墨盘放入所述第四清洗溶液进行第六次鼓泡清洗；将所述石墨盘进行第三次去离子水冲洗；将所述石墨盘放入所述第四清洗溶液进行第七次鼓泡清洗；将所述石墨盘进行第四次去离子水冲洗。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文洋，林雅雯，黄国栋，黄嘉宏，杨顺贵，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：