一种ZnO基纳米线发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开的ＺｎＯ基纳米线发光二极管是以ＺｎＯ为基，在衬底的一面自下而上依次沉积ｐ－ＺｎＯ薄膜层，ｐ－Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ薄膜层、０＜Ｘ＜０．５，ＺｎＯ纳米线阵列层和第二电极，在衬底的另一面沉积第一电极构成。其中的ＺｎＯ纳米线阵列层由垂直于衬底生长的ｎ－ＺｎＯ纳米线构成，纳米线之间的间隙由有机光刻胶填充。本实用新型专利技术的发光二极管以ＺｎＯ纳米线作为有源层，发光效率高；ＺｎＯ同质结结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能；通过对ＺｎＯ纳米线尺寸的调节，可得不同波段的出射光，制得紫外光、紫光或蓝光等多种发光器件。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＺｎＯ基纳米线发光二极管，其特征是以ＺｎＯ为基，在衬底（１）的一面自下而上依次沉积有ｐ－ＺｎＯ薄膜层（２），ｐ－Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ薄膜层（３）、０＜Ｘ＜０．５，ＺｎＯ纳米线阵列层（４）和第二电极（７），在衬底（１）的另一面沉积有第一电极（６），其中的ＺｎＯ纳米线阵列层（４）由垂直于衬底生长且彼此具有间隙的ｎ－ＺｎＯ纳米线构成，在ｎ－ＺｎＯ纳米线之间的间隙填充有有机光刻胶（５）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶志镇，曾昱嘉，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]