【技术实现步骤摘要】
本技术是与晶片结构有关,特别是指一种微感测器的晶片结构,其是由二晶片对应接合所构成,且其打线区域外露,有利于后续打线制程的进行。
技术介绍
一般现有的微感测器,以电容感测器为例,是可区分为单一晶片式感测器,以及由二晶片接合构成的晶片接合式电容感测器,单晶片电容感测器虽然体积较小,但是制程方法较为繁复,尺寸设计上的弹性也较小,而晶片接合式电容感测器则可大幅简化制程,并且提升设计的弹性以达到较佳的性能表现。然而,请参阅图1与图2所示,晶片接合式电容感测器1在晶片接合的制程之后,往往将其打线区域2封闭于二晶片之间而造成后续打线制程进行的困难,为了将电气信号导出,通常必须利用蚀刻制程以制作一连通该打线区域2与外界的贯穿孔3,再形成一与该打线区域连接的沉积电极4,方能将电气信号有效地导出。其中,若使用异方性蚀刻制程来制作该贯穿孔3,如图1所示,则必须较大的晶片面积,否则将影响晶片所能容纳的元件数,若要减少使用面积,则必须改用高深宽比的感应耦合电浆(Inductively CoupledPlasma,ICP)蚀刻或激光钻孔制程,如图2所示,但其制程成本过高,生产效率低,因此,该贯穿孔制程将导致制作成本的增加,且容易有缺陷发生。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种微感测器的晶片结构,其打线区域外露,有助于打线制程的进行,且不需占用额外的晶片面积。本技术的次一目的在于提供一种微感测器的晶片结构,其制作程序简便,仅需在晶片接合制程前,或晶片接合制程后增加一切割制程,具有高生产效率。因此,为达成本技术的目的,本技术是提供一种微感测器的晶片结构,其特征在于其是包含有一第一晶片 ...
【技术保护点】
一种微感测器的晶片结构,其特征在于:其是包含有: 一第一晶片,是具有一第一面,且该第一面的一侧设有一打线区域;以及 一第二晶片,是具有一第二面,而可对应该第一面进行接合; 该第一晶片的长度小于第二晶片的长度或该第二晶片的长度小于第一晶片的长度; 该二晶片接合后,该打线区域的一部或全部裸露在外。
【技术特征摘要】
1.一种微感测器的晶片结构,其特征在于其是包含有一第一晶片,是具有一第一面,且该第一面的一侧设有一打线区域;以及一第二晶片,是具有一第二面,而可对应该第一面进行接合;该第一晶片的长度小于第二晶片的长度或该第二晶片的长度小于第一晶片的长度;该二晶片接合后,该打线区域的一部或全部裸露在外。2.依据权利要求1所述的微感测器的晶片结构,其特征在于,其中该打线区域是为一电极的表面。3.依据权利要求1所述的微戚测器的晶片结构,其特征在于,其中该第二晶片是经过材料...
【专利技术属性】
技术研发人员:李志成,邢泰刚,魏文杰,何鸿钧,邱瑞易,
申请(专利权)人:美律实业股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]
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