【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种气体离化装置,尤其是超高真空气体离化装置。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中,对其表面进行钝化,可以减少半导体表面的各种缺陷对器件性能的负面影响,增强器件对外来离子玷污的阻挡能力,控制和稳定半导体表面的电特性,防止器件受到化学损伤和机械损伤。而制备高性能和高质量的表面钝化膜的措施之一是需使用离化气体,目前,人们为了获得离化气体,常使用气体离化设备。如在1997年10月29日公开的中国技术专利说明书CN 2265985Y中披露的一种“用于真空制膜设备的活化气体装置”。它意欲提供一种结构简单、活化气体效率高、可直接用于真空室内的活化气体装置。它的构成为法兰盘将呈锥形的真空放电管密封固定在真空室内,两只离化电极呈串行地分置于真空放电管中。气体离化时,工作气体由进气管进入真空放电管中,在两只离化电极之间所形成的电场的作用下,生成所需的离化气体。但是,这种活化气体装置存在着不足之处,首先,法兰盘与绝缘材料,如石英、玻璃、陶瓷等制成的真空放电管之间的连接处因热膨胀系数的较大差异而极易发生漏气现象,使离化气体的质量不高;其次,两只离化电极均位于真空放电管中,致使离化气体中含有有害的离化电极的金属离子;再次,串行分置于真空放电管中的两只离化电极的放电均匀性差,使气体离化的效率不高;又次,离化电极与真空放电管间为固定连接,既有相互间密封的难题,又无法经拆卸来对其进行必要的维护,更不能针对需离化的气体种类来更换上相应的离化电极。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题为克服现有技术中的不足之处,提供一种离化气体的纯度高,使用、维护方便的超高真空气体离化装置。所采用 ...
【技术保护点】
一种超高真空气体离化装置,包括法兰盘(1)上的一端为圆锥喷嘴(7)、另一端带有进气管(14)的管状离化器,以及离化电极,其特征在于所说管状离化器由气体离化室(6)和密封室(5)构成,所说气体离化室(6)的一端为喷嘴(7)、另一端与密封室(5)相接,并经伸入密封室(5)内的凸管(10)与固定架(12)的带有管状内壁凹台的一端相接,固定架(12)的另一端与法兰盘(1)相接为一体,其端部与进气管(14)相连接,所说密封室(5)的另一端与固定架(12)上的凸圆台间经胶圈(2)、压片(3)和压盖(4)相连接,所说离化电极为工作电极(8)和配合电极(9),所说工作电极(8)的一端穿过所说凸管(10)置于气体离化室(6)中、另一端嵌入所说固定架(12)一端的管状内壁凹台中,所说配合电极(9)环绕于气体离化室(6)之外。
【技术特征摘要】
1.一种超高真空气体离化装置,包括法兰盘(1)上的一端为圆锥喷嘴(7)、另一端带有进气管(14)的管状离化器,以及离化电极,其特征在于所说管状离化器由气体离化室(6)和密封室(5)构成,所说气体离化室(6)的一端为喷嘴(7)、另一端与密封室(5)相接,并经伸入密封室(5)内的凸管(10)与固定架(12)的带有管状内壁凹台的一端相接,固定架(12)的另一端与法兰盘(1)相接为一体,其端部与进气管(14)相连接,所说密封室(5)的另一端与固定架(12)上的凸圆台间经胶圈(2)、压片(3)和压盖(4)相连接,所说离化电极为工作电极(8)和配合电极(9),所说工作电极(8)的一端穿过所说凸管(10)置于气体离化室(6)中、另一端嵌入所说固定架(12)一端的管状内壁凹台中,所说配合电极(9)环绕于...
【专利技术属性】
技术研发人员:李新化,汪洋,王玉琦,
申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院,
类型:实用新型
国别省市:34[中国|安徽]
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