一种带有保护装置的IGBT模块制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及电子设备技术领域，且公开了一种带有保护装置的IGBT模块，包括：IGBT模块本体，所述IGBT模块本体的表面固定安装有放置盒，所述放置盒的内壁设有圆形铁块，所述圆形铁块的表面活动连接有线圈。该带有保护装置的IGBT模块，通过设置圆形铁块、线圈和电线插件，当供电设备因事故损坏时，通过圆形铁块和线圈配合，对线圈供电，从而使线圈与圆形铁块配合产生磁力对磁块进行吸合，由于电压提高，从而使产生的磁力大于压力弹簧的弹力，使磁块带动电线插件移动，将电线插件从IGBT模块本体的内部拔出，避免继续对IGBT模块本体供电，从而避免电压过高使IGBT模块本体损坏，保证IGBT模块本体可以正常使用。模块本体可以正常使用。模块本体可以正常使用。

【技术实现步骤摘要】
一种带有保护装置的IGBT模块


[0001]本技术涉及电子设备
，具体为一种带有保护装置的IGBT模块。

技术介绍

[0002]IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大，MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
[0003]现有技术中，IGBT模块在使用的过程中，需要保证连接的电压是IGBT模块的安全的电压，当供电设备因事故损坏时，从而无法保证IGBT模块的使用电压，由于没有保护装置无法第一时间对IGBT模块进行断电，从而使IGBT模块因电压过高导致损坏，使IGBT模块无法使用，且现有IGBT模块的散热效果并不好，导致IGBT模块容易烧毁，从而降低IGBT模块的实用效本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有保护装置的IGBT模块，其特征在于，包括：IGBT模块本体(1)，所述IGBT模块本体(1)的表面固定安装有放置盒(2)，所述放置盒(2)的内壁设有圆形铁块(7)，所述圆形铁块(7)的表面活动连接有线圈(8)，所述线圈(8)的表面与放置盒(2)的内壁活动连接，所述IGBT模块本体(1)的内壁活动连接有磁块(3)，所述磁块(3)的表面设有压力弹簧(4)，所述压力弹簧(4)的表面与线圈(8)的表面活动连接，所述压力弹簧(4)的表面与放置盒(2)的内壁固定安装，所述IGBT模块本体(1)的表面开设有散热孔(13)，所述IGBT模块本体(1)的内壁装配有微型电机(11)，所述微型电机(11)的表面设有风扇(12)，所述IGBT模块本体(1)的内壁设有温度传感器(15)。2.根据权利要求1所述的一种带有保护装置的IGBT模块，其特征在于，所述磁块(3)的内壁设有导向杆(5)，所述放置盒(2)的内壁设...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丕龙，张永利，王新强，杨玉珍，
申请(专利权)人：青岛佳恩半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：