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一种特殊的非晶硅光电池制造技术

技术编号:3225144 阅读:160 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种特殊的非晶硅光电池,由玻璃基底(1)、透明电极(2)、非晶硅层(3)、背电极(4)、背电极(5)构成,其特征在于:所述透明电极(2)采用ITO透明导电膜或二氧化锡透明导电膜制成,所述非晶硅层(3)为PIN结结构,由P型、I型和N型非晶硅组成,P型非晶硅层紧接透明电极(2),I型非晶硅层在P、N型非晶硅层中间,N型非晶硅层紧接背电极(4),所述背电极(4)由丝印导电油墨制成,所述背电极(5)由丝印导电油墨制成。(*该技术在2013年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种非晶硅光电池,特别涉及一种特殊的非晶硅光电池。公知的非晶硅光电池,其背电极通常有两种方法制成,其一是采用真空蒸镀铝膜或磁控溅射铝膜制得,因此,具有设备投资大,制造成本高,铝膜与透明电极和非晶硅层接触不牢固等缺点;其二是采用胶质丝印导电油墨印制一次而成,但其导电特性不理想。本技术的目的在于提供一种特殊的非晶硅光电池,其背电极采用胶质丝印导电油墨印制两次而成,背电极与透明电极和非晶硅层接触牢固,无需增加设备投资,电池电性能稳定性良好,耐自然环境好,并可以由m个电池单元,通过串联或并联连接组成集成非晶硅光电池元件。本技术的目的是通过以下方式实现的本技术一种特殊的非晶硅光电池、由玻璃基底(1)、透明电极(2)、非晶硅层(3)、背电极(4)、背电极(5)构成。所述的透明电极(2)采用ITO透明导电膜或二氧化锡透明导电膜制成,见附图说明图1;本技术一种特殊的非晶硅光电池的非晶硅层(3)为采用等离子体分解硅烷技术在玻璃基底(1)上的透明电极(2)上均匀地沉积一层PIN结型非晶硅层,作为本技术一种特殊的非晶硅光电池的光电转换层,见图1;本技术一种特殊的非晶硅光电池背电极(4)采用丝网印刷方法由丝印导电油墨印制而成,见图1;本技术一种特殊的非晶硅光电池背电极(5)采用丝网印刷方法由丝印导电油墨印制而成,见图1。由此制得的玻璃基底(1)、透明电极(2)、非晶硅层(3)、背电极(4)、背电极(5)既构成了本技术一种特殊的非晶硅光电池的单元电池。由m个本技术一种特殊的非晶硅光电池的电池单元,通过串联或并联连接可以组成集成非晶硅光电池元件,其中m是除1以外的正整数。本技术一种特殊的非晶硅光电池,因背电极采用胶质丝印导电油墨印制两次而成,增加了背电极的厚度,因而在不增加设备投资的情况下,具有制造工艺简单、生产成本低、电极接触牢固、导电性能好的优点。以下结合附图并参照具体实施例进一步描述本技术。图一为本技术一种特殊的非晶硅光电池结构的截面示意图。实施例1参照图一,其中的玻璃基底(1)由厚度为1.1mm的玻璃制成,几何尺寸为10mm×10mm。在该玻璃基底上采用磁控溅射技术沉积一层厚度约0.3μm的ITO透明导电膜,作为透明电极(2),再在透明电极上采用等离子体分解硅烷技术沉积一层PIN型非晶硅层(3),作为光电池的光电转换层,非晶硅层总厚度约0.5μm;然后,在已如上制作的基片上采用丝网印刷工艺方法,由一种丝印导电碳浆油墨印制成厚度为15μm的一层背电极,作为光电池的第一层碳膜背电极(4),之后,在此第一层碳膜背电极上,再次采用丝网印刷工艺方法,由另一种丝印导电碳浆油墨印制成厚度为15μm的一层背电极,作为光电池的第二层碳膜背电极层(5),至此即得到本非晶硅光电池的单元电池。最后在如上制成的基片上印制保护漆和字符即得到本技术一种特殊的非晶硅光电池单节电池成品。实施例2本实施例中的玻璃基底(1)由厚度为1.1mm的玻璃制成几何尺寸为10mm×25mm。其上的透明电极(2)为厚度0.6μm的ITO透明导电膜制成。本实施例中单节非晶硅光电池的非晶硅层(3)和碳膜背电极(4)和碳膜背电极(5)的结构与参数均同于实施例1中的相应结构,在所述基片上以4个此结构的单节非晶硅光电池,以专利ZL982150180(一种外联非晶硅光)所述的连接方法串联连接,即得到4节串联集成的2510型非晶硅光电池片。最后在如上制成的基片上印制保护漆和字符即得到成品。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种特殊的非晶硅光电池,由玻璃基底(1)、透明电极(2)、非晶硅层(3)、背电极(4)、背电极(5)构成,其特征在于所述透明电极(2)采用ITO透明导电膜或二氧化锡透明导电膜制成,所述非晶硅层(3)为PIN结结构,由P型、I型和N型非晶硅组成,P型非晶硅层紧接透明电极(2),I型非晶硅层在P、N型非晶硅层中间,N型非晶硅层紧接背电极(4),所述背电极(4)由丝印导电油墨制成,所述背电极(5)由丝印导电油墨制成。2.如权利要求1所述的一种特殊的非晶硅光电池,其特征在于所述的背电极(4)、背电极(5)由胶...

【专利技术属性】
技术研发人员:周庆明
申请(专利权)人:周庆明
类型:实用新型
国别省市:

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