氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：在导电玻璃表面预植WO3晶种；将导电玻璃浸入反应溶液，经水热反应后得到WO3纳米棒薄膜；通过恒电位沉积在WO3纳米棒薄膜表面沉积普鲁士蓝，得到WO3/PB核壳纳米棒薄膜；将WO3/PB核壳纳米棒薄膜进行热处理，得到WO3/Fe2O3核壳纳米棒薄膜。解决了现有的纳米WO3薄膜的制备方法较为复杂，可控性较低，且成本较高，制得的产物电化学性能不足，光电流密度较低的问题。光电流密度较低的问题。光电流密度较低的问题。

【技术实现步骤摘要】
氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及，具体地，涉及一种氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]纳米氧化钨薄膜具有许多优异的光电特性，是研究最广泛的光催化剂之一。WO3还具有在酸性条件下化学稳定性好、耐光腐蚀、无毒、制备方便等优点。同时，WO3可与一些过度金属氧化物形成复合薄膜材料﹐并广泛地应用于电致变色材料、气敏材料、共催化剂制备等领域。WO3作为一种半导体光催化材料，可以用于制备光催化剂，进而用于有机污染物的降解等领域。半导体光催化是利用光催化剂在光照条件下生成一系列具有强氧化能力的空穴和自由基，进一步发生氧化分解反应使有机物污染物降解为CO2和H2O等无机物，从而达到对有机物的彻底氧化分解。纳米WO3薄膜的制备方法有多种，而现有的纳米WO3薄膜的制备方法较为复杂，可控性较低，且成本较高，制得的产物电化学性能不足，光电流密度较低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜及其制备方法，解决了现有的纳米WO3薄膜的制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1)、在导电玻璃表面预植WO3晶种；2)、将步骤(1)中的导电玻璃浸入反应溶液，经水热反应后得到WO3纳米棒薄膜；3)、通过恒电位沉积在WO3纳米棒薄膜表面沉积普鲁士蓝，得到WO3/PB核壳纳米棒薄膜；4)、将WO3/PB核壳纳米棒薄膜进行热处理，得到WO3/Fe2O3核壳纳米棒薄膜。2.根据权利要求1所述的氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其中，将钨酸盐溶液、盐酸溶液和过氧化氢溶液混合后，涂覆在导电玻璃表面，退火处理后得到预植有WO3晶种的导电玻璃。3.根据权利要求2所述的氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其中，钨酸盐溶液的浓度为0.2
‑
0.25mol/L；盐酸和钨酸的摩尔比为2.8
‑
3.2:1；优选地，将钨酸盐溶液加入盐酸后产生沉淀，离心后去除上层清液后向沉淀加入过氧化氢溶液至沉淀完全溶解，将得到的晶种溶液涂覆在导电玻璃表面；优选地，离心的转速为5000
‑
1000r/min，离心的时间为2
‑
5min；优选地，过氧化氢溶液的质量分数为28
‑
32wt％，加入量为2
‑
5mL。4.根据权利要求2所述的氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其中，将得到的晶种溶液200
‑
500μL溶液涂覆到导电玻璃表面，在3000
‑
5000rpm下旋转10
‑
60s。5.根据权利要求2所述的氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其中，退火处理的条件包括温度为400
‑
450℃，时间为1
‑
2...

【专利技术属性】
技术研发人员：武恒，
申请(专利权)人：安徽信息工程学院，
类型：发明
国别省市：