多晶硅还原炉用导流装置制造方法及图纸

多晶硅还原炉用导流装置。涉及多晶硅制造技术领域。导流效果好，能避免炉内湍流。设于还原炉内，所述还原炉的底部设有底盘，所述底盘的中心设有排气管，所述底盘上、位于排气管的外侧设有进气管，包括导流板和通过支架设于导流板下方的导流管，所述导流板设于所述还原炉的顶部，所述导流板朝向所述还原炉的底部中心凸起；所述排气管上连通有出气管和至少一对回气管，所述回气管的一端连通排气管、另一端延伸至还原炉的顶部，所述回气管的另一端设有喷嘴，所述喷嘴朝向水平方向喷气。所述喷嘴朝向水平方向喷气。所述喷嘴朝向水平方向喷气。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅还原炉用导流装置


[0001]本技术涉及多晶硅制造
，具体涉及一种多晶硅还原炉用导流装置。

技术介绍

[0002]国内生产多晶硅采用改良西门子法生产工艺，该生产工艺中的还原过程是在还原炉内通电的炽热硅芯或硅棒的表面，气体物料三氯氢硅发生化学气相沉积反应，生成硅沉积使硅芯或硅棒的直径逐渐变大，直至达到规定的尺寸。
[0003]还原炉内的气体流场对于载体表面的反应温度、分子碰撞晶体的密度以及对于结晶速度等各种反应条件影响非常大，所以保证还原炉内流场的均匀、对称性是保证多晶硅生长可控的主要条件之一。现有还原炉内的导流装置导流效果较差，容易造成湍流、对流等情况，影响产品的品质。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术的不足，本技术提供了一种导流效果好，能避免炉内湍流的多晶硅还原炉用导流装置。
[0005]本技术采用如下技术方案实现：多晶硅还原炉用导流装置，设于还原炉内，所述还原炉的底部设有底盘，所述底盘的中心设有排气管，所述底盘上、位于排气管的外侧设有进气管，包括导流板和通过支架设于导流板下方的导流管，所述导流板设于所述还原炉的顶部，所述导流板朝向所述还原炉的底部中心凸起；
[0006]所述排气管上连通有出气管和至少一对回气管，所述回气管的一端连通排气管、另一端延伸至还原炉的顶部，所述回气管的另一端设有喷嘴，所述喷嘴朝向水平方向喷气。
[0007]所述喷嘴的喷气方向与所述导流板的最低点相切。
[0008]所述导流板的上设有内螺纹套，所述支架的一端适配地旋设在所述内螺纹套内，所述支架的另一端延伸至导流管的内部、并与所述导流管固定连接。
[0009]所述导流管的内径由上至下逐渐减小，所述导流管的上管口位于所述导流板的中心下方，所述导流管的下管口位于所述排气管的上方、并与所述排气管处于同一轴线上。
[0010]所述回气管上设有用于增压的气泵。
[0011]相比现有技术，本技术在工作中，通过导流板将反应后的混合气体导入到导流管内，再通过导流管导流至排气管，而且一部分混合气体通过回气管回到还原炉的顶部，并以较快的速度被水平喷出，在导流板的下方形成负压，便于将从进气管排入的混合气体吸到还原炉的顶部，使得混合气体在进入还原炉后、在竖直方向上分散更加均匀，而且也有利于反应后的混合气体的排出，导流效果好，流场均匀，能避免炉内湍流的发生，有效提高了产品品质。
附图说明
[0012]图1是本技术结构示意图；
[0013]图中：1、还原炉；2、底盘；3、排气管；4、进气管；5、导流板；6、支架；7、导流管；8、出气管；9、回气管；10、喷嘴；11、内螺纹套；12、气泵。
具体实施方式
[0014]下面，结合附图以及具体实施方式，对本技术做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
[0015]如图1所示，多晶硅还原炉用导流装置，设于还原炉1内，所述还原炉1的底部设有底盘2，所述底盘2的中心设有排气管3，所述底盘2上、位于排气管3的外侧设有进气管4，包括导流板5和通过支架6设于导流板5下方的导流管7，所述导流板5设于所述还原炉1的顶部，所述导流板5朝向所述还原炉1的底部中心凸起；
[0016]所述排气管3上连通有出气管8和至少一对回气管9，所述回气管9的一端连通排气管3、另一端延伸至还原炉1的顶部，所述回气管9的另一端设有喷嘴10，所述喷嘴10朝向水平方向喷气。通过进气管4向还原炉1内通入三氯氢硅或者四氯化硅气体与氢气的混合气体，混合气体在还原炉1内反应、并上升，由于导流板5向下凸起，使得上升的混合气体被导向导流板5的中部，然后落入到导流管7内，再通过导流管7导流至排气管3，进入排气管3的混合气体，一部分直接通过出气管8排出，另一部分通过回气管9回到还原炉1的顶部，同时，回流的混合气体以较快的速度被水平喷出，在导流板5的下方形成负压，便于将从进气管4排入的混合气体吸到还原炉1的顶部，使得混合气体在进入还原炉1后、在竖直方向上分散更加均匀，而且也有利于反应后的混合气体的排出，导流效果好，流场均匀，能避免炉内湍流的发生，有效提高了产品品质。
[0017]所述喷嘴10的喷气方向与所述导流板5的最低点相切。同时，回气管9对称设立，使得相对的两个回气管9喷出的混合气体在导流板5的底部中心相遇、并被引导至导流管7内，有效避免湍流的产生。
[0018]所述导流板5的上设有内螺纹套11，所述支架6的一端适配地旋设在所述内螺纹套11内，所述支架6的另一端延伸至导流管7的内部、并与所述导流管7固定连接。通过内螺纹套11实现支架6与导流板5的可拆卸连接，便于将导流管7及支架6拆除，便于清洗维护。
[0019]所述导流管7的内径由上至下逐渐减小，所述导流管7的上管口位于所述导流板5的中心下方，所述导流管7的下管口位于所述排气管3的上方、并与所述排气管3处于同一轴线上。导流管7的内径由上至下逐渐减小，提高了混合气体排出导流管7的速度，避免了混合气体在排出导流管7后产生分散，确保了混合气体能通过排气管3可靠排出。
[0020]所述回气管9上设有用于增压的气泵12。通过气泵12的增压作用，使得喷嘴10喷出的混合气体的速度可调，也就使得混合气体喷出、在导流板5下方形成的负压大小可调，从而保证了混合气体在还原炉1内有足够的反应时间、并在反应后被可靠吸入到导流管7内。
[0021]上述实施方式仅为本技术的优选实施方式，不能以此来限定本技术保护的范围，本领域的技术人员在本技术的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本技术所要求保护的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.多晶硅还原炉用导流装置，设于还原炉内，所述还原炉的底部设有底盘，所述底盘的中心设有排气管，所述底盘上、位于排气管的外侧设有进气管，其特征在于：包括导流板和通过支架设于导流板下方的导流管，所述导流板设于所述还原炉的顶部，所述导流板朝向所述还原炉的底部中心凸起；所述排气管上连通有出气管和至少一对回气管，所述回气管的一端连通排气管、另一端延伸至还原炉的顶部，所述回气管的另一端设有喷嘴，所述喷嘴朝向水平方向喷气。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉用导流装置，其特征在于：所述喷嘴的喷气方向与所述导流板的最低点...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志国，周正卿，黄硕，
申请(专利权)人：扬州市硕成伟业电热设备有限公司，
类型：新型
国别省市：