生产单晶硅还原炉及其生产方法技术

本发明专利技术公开了生产单晶硅还原炉及其生产方法，涉及单晶炉技术领域，包括单晶硅炉主体，所述单晶硅炉主体的底部固定套接有固定架，所述固定架顶部的一端设置有控制面板，所述单晶硅炉主体的顶部固定安装有物料箱，所述单晶硅炉主体包括防护机构和密封机构，所述密封机构的底部设置在防护机构的顶部。本发明专利技术通过保温罩、保温垫和保温板相互配合，在设备高温加热时，利用保温罩的隔热性，达到设备保温防护的功能，然后再利用保温垫和保温板对设备顶部进行隔热，达到二次保温防护的功能，避免热量消散太快，影响设备加工效率的问题，有利于装置增加保温功能，提高装置工作效率，达到节省资源的功能。源的功能。源的功能。

【技术实现步骤摘要】
生产单晶硅还原炉及其生产方法


[0001]本专利技术涉及单晶炉
，具体涉及生产单晶硅还原炉及其生产方法。

技术介绍

[0002]单晶硅是制作太阳能电池的主要原料，目前常用的生产工艺为直拉法。直拉法是在单晶炉热场内，向熔融的原料中浸入籽晶，依次经历引晶、放肩等径及收尾等阶段，生长提拉出整根的单晶棒。热场中主要包括保温筒、保温盖以及热屏等部件，主要为石墨、碳碳等非金属材质。由于某些金属具有熔点高、导热率高等特点，能够增强热场的保温性，减少拉晶断棱概率等，近年来某些金属作为热场部件或热场涂层等也被广泛应用。
[0003]现有的技术方案中，提出了公开号：CN215209690U，该文献所公开的技术方案如下：一种单晶硅生产用单晶炉，包括炉体，所述炉体内设有坩埚组件、加热组件和保温组件，所述保温组件包括内部保温筒、外部保温筒和底部保温层，所述外部保温筒置于所述炉体的内侧壁且该外部保温筒套设于所述内部保温筒，所述底部保温层位于炉体的底盘上，且该底部保温层的四周壁贴合于所述内部保温筒，所述加热组件包括侧部加热器和底部加热器，所述侧部加热器位于坩埚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.生产单晶硅还原炉，包括单晶硅炉主体(1)，其特征在于：所述单晶硅炉主体(1)的底部固定套接有固定架(2)，所述固定架(2)顶部的一端设置有控制面板(3)，所述单晶硅炉主体(1)的顶部固定安装有物料箱(4)；所述单晶硅炉主体(1)包括防护机构和密封机构，所述密封机构的底部设置在防护机构的顶部；所述单晶硅炉主体(1)底部的两侧设置有的电极护套(190)，所述电极护套(190)的内壁开设有滑动槽(194)，所述滑动槽(194)的内部活动安装有电极主体(19)，所述电极护套(190)包括连接机构和紧压机构，所述紧压机构的外侧设置在连接机构的内侧。2.根据权利要求1所述的生产单晶硅还原炉，其特征在于：所述防护机构包括保温罩(15)，所述保温罩(15)的内侧设置有石英坩埚(10)，所述石英坩埚(10)的顶部设置有保温垫(13)，所述保温垫(13)的顶部固定安装有保温板(12)，所述保温板(12)的顶部设置有上顶盖(11)，所述上顶盖(11)的顶部设置在物料箱(4)的底部。3.根据权利要求1所述的生产单晶硅还原炉，其特征在于：所述密封机构包括密封垫圈(14)，所述密封垫圈(14)的底部设置有卡接垫圈(141)，所述密封垫圈(14)的内侧设置有橡胶防护垫(142)，所述橡胶防护垫(142)的底部设置有加热板(16)，所述加热板(16)的外侧设置在保温罩(15)的内部。4.根据权利要求2所述的生产单晶硅还原炉，其特征在于：所述石英坩埚(10)的底部设置有拖板(17)，所述拖板(17)的底部活动安装有支撑拖柱(18)。5.根据权利要求1所述的生产单晶硅还原炉，其特征在于：所述连接机构包括限位块(195)，所述限位块(195)的外侧设置有套接块(193)，所述套接块(193)的底部固定安装在电极主体(19)的顶部，所述电极主体(19)的两侧开设有限位槽(...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志国，周伟，黄硕，
申请(专利权)人：扬州市硕成伟业电热设备有限公司，
类型：发明
国别省市：