【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种由二个以上p-N结串联而构成的温度传感器,是一种高灵敏度的温度传感器。现有的p-N结温度传感器一般都由单个p-N结组成。其灵敏度较低,只有2mv/℃左右。而另一种集成电路式p-N结温度传感器其灵敏度虽可以做到2nmv/℃(n为p-N结个数),在这种温度敏感元件的工艺过程却非很繁杂,包括埋层氧化埋层光刻、埋层扩散、外延、隔离扩散等,至划片、烧结、压焊、封帽等需二十多道工艺,比单个p-N温度传感器的工艺增加很多,生产成本很高,而成品率由于工艺过程增加而明显下降。因此这种温度传感器虽有较高的灵敏度,却不利于大量的应用和推广。本专利技术的目的是在不增加p-N结温度传感器的工艺难度的前题下,力促较大幅度的提高p-N结温度传感器的灵敏度,并使这种温度传感器成为一种廉价的,易于普及推广的新型温度传感器。本专利技术的具体作法是在N型单晶硅片上做二个以上的三极管,它们有共同的集电极(1),将这些二个以上三极管的基极(4)发射极(5)相互串联构成二个以上p-N结相互串联的温度传感器。这种两个以上的p-N结相互串联的温度传感器。灵敏度比单个p-N结温度传感器得到了提高2nmv/℃(n为p-N结个数)。即比单个p-N结温度传感器提高了n倍。本专利技术的工艺过程简单,与p-N结集成电路式温度传感器相比省去了很多操作工序。即埋层氧化、埋层光刻、埋层扩散、外延隔离氧化、隔离光刻、隔离扩散等道工序。本专利技术的基本工序只需a、在N型单晶硅片上生长一层Sio氧化层(9);b、在上述生有氧化层(9)的单晶硅片(1)上光刻基区窗口(2);c、在基区窗口(2)内作杂质硼扩 ...
【技术保护点】
一种由p-N结串联所组成的温度传感器,其特征在于这种p-N结串联温度传感器是由二个以上的p-N结串联所组成的,即在N型单晶硅片上直接做二个以上的三极管(N-p-N),它们有共同的集电极(1),将上述二个以上的三极管基极(4)、发射极(5)相互串联而构成二个以上p-N结串联温度传感器。
【技术特征摘要】
1.一种由P-N结串联所组成的温度传感器,其特征在于这种P-N结串联温度传感器是由二个以上的P-N结串联所组成的,即在N型单晶硅片上直接做二个以...
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