发光二极管集成矩阵组件及制法制造技术

发光二极管集成矩阵组件及制法，属半导体电光集成电路件及其制备方法，本发明专利技术以发光材料ＧａＡｓ（Ｐ／）ＧａＡｓ（Ｎ）与本征ＧａＡｓ：Ｚｎ叠层复合，以空间隔离沟和Ｐ－Ｎ结隔离技术形成发光矩阵芯片再与黑瓷厚膜电路基座组成为组件，可用作贴片式信息记录显示光源，用于大小型光电经纬仪，红外夜视等领域。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
发光二极管(LED)集成矩阵组件，属半导体电光集成器件及其制备方法。近年来，发光二极管(LED)在各种尖端科学领域及民间的显示显像装置上的应用越来越广泛。组成线阵或面阵的LED组件在空间技术显示显像或信息记录中已有实际应用。LED做为数字或文字显示元件可分为笔划型和点阵型两类，已提出单板机控制的LED多功能变色矩阵显示装置软件的设计方法，此方法亦适用于电致发光屏，薄膜屏及其他文字点阵屏的显示装置，可显示15×16或15×18的数字或字符。采用EPROM列表及附加译码器等芯片组成的LED显示器，可组成5×7点阵显示，并可缩为一位或二位点阵显示，也可扩展成多位点阵显示。常规用于LED的材料有GaAsP/GaAs GaAsP/GaP GaP/GaAsGaP/Gap GaAlAs/GaAs 特别是由于GaAlAs的研制和开发使得LED的发光强度大幅度提高，已可在室内外进行矩阵显示。为了实现上述目的，只简单的将多个LED装在一起构成矩阵显示已远不能满足微型化的需要。自70年代以来，LED微型矩阵组件的研制工作相继有所报道。日本乌取三洋电子有限公司电子器件部和大板三洋电子有限公司半导体研究本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管集成矩阵组件，本专利技术的特征是它由ＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ（ｎ）与本征ＧａＡｓ∶Ｚｎ叠层复合，以空间隔离沟和ｐ－ｎ结隔离技术形成的发光芯片与Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］黑瓷厚膜电路基座组成。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管集成矩阵组件，本发明的特征是它由GaAsP/GaAs(n)与本征GaAs∶Zn叠层复合，以空间隔离沟和p-n结隔离技术形成的发光芯片与Al2O3黑瓷厚膜电路基座组成。2.根据权利要求1所述的集成矩阵组件，其特征是所述的矩阵组件芯片由1-1高阻掺Te的n型GaAs，1-2 P型掺Zn的GaAs，1-3 Si3N4层，1-4 Au-Ge-Ni导电层，1-5银胶粘层，1-6Au-Ge-Ni导电层，1-7掺Te的n型GaAs层，1-8掺Te的n型GaAs0.6P0.4层，1-9 P型GaAs0.6P0.4层，1-10 Si3N4层，1-11铝电极，1-12 隔离沟及1-13硅铝丝金丝引线构成。3.根据权利要求1所述的集成矩阵组件，其特征是所用的发光材料n型掺Te GaAs0.6P0.4/GaAs(Te)其载流子浓度在0.5-8×1017/cm3，也可选用GaP/GaP，GaAsP/GaP或GaAlAs/GaAs。4.根据权利要求1所述的矩阵集成组件，其特征是它可以按下述工艺流程制备1、发光芯片制备a.选用GaAsP 外延片在P-LPCVD设备上生长Si3N4层，b.在等离子刻蚀机中进行Si3N4的F离子刻蚀，c.进行Zn的闭管定域扩散，d.蒸镀Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢景贵，张富文，侯凤勤，王运复，黄汉生，杨玉宪，
申请(专利权)人：中国科学院长春物理研究所，
类型：发明
国别省市：22[中国|吉林]