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发光二极管集成矩阵组件及制法，属半导体电光集成电路件及其制备方法，本发明以发光材料ＧａＡｓ（Ｐ／）ＧａＡｓ（Ｎ）与本征ＧａＡｓ：Ｚｎ叠层复合，以空间隔离沟和Ｐ－Ｎ结隔离技术形成发光矩阵芯片再与黑瓷厚膜电路基座组成为组件，可用作贴片式信息记录...
该专利属于中国科学院长春物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春物理研究所授权不得商用。

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