一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，属于光纤通信技术领域。该偏振旋转器包括：衬底；衬底的顶部设置有一段条形波导，形成偏振旋转区域；沿着入射光的传输方向，条形波导的其中一组对角上分别开有若干个第一凹槽和若干个第二凹槽，形成第一亚波长光栅和第二亚波长光栅；若干个第一凹槽和第二凹槽内均填充有二氧化硅。在本发明专利技术中，该偏振旋转器结构简单，易于片上集成，并且在300nm(1400nm

【技术实现步骤摘要】
一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器


[0001]本专利技术涉及光纤通信
，特别涉及一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器。

技术介绍

[0002]近年来，硅光子学的发展为高密度光子集成奠定了坚实的理论基础，使得片上硅光子器件及波导中各种光学特性得到了深入研究。偏振作为除波长、相位和振幅之外的光波又一特征参量，也被用于超快光子信息传输和处理领域。然而，光纤中光波的偏振态会随着周围环境参数(如温度、应力等)的随机变化而改变，特别是在光子集成电路(Photonic integrated circuit，PIC)中，绝缘体上硅(Silicon on insulator，SOI)材料中纤芯与包层间的高折射率对比度进一步加剧了偏振依赖性，导致横向电模(TE)和横向磁模(TM)在高度受限的硅纳米线波导中拥有不同的传播特性，从而引起偏振相关的色散和损耗。同时，不同偏振模式在波导中会产生不同的响应(如光孤子形成与演化、四波混频、交叉相位调制等非线性光学效应强弱均与光波偏振态密切相关)，最终会对光学系统性能造成严重的影响。为消除偏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述偏振旋转器包括：衬底(1)；所述衬底(1)的顶部设置有一段条形波导(2)，形成偏振旋转区域；沿着入射光的传输方向，所述条形波导(2)的其中一组对角上分别开有若干个第一凹槽(3)和若干个第二凹槽(4)，形成第一亚波长光栅和第二亚波长光栅；所述若干个第一凹槽(3)和第二凹槽(4)内均填充有二氧化硅。2.根据权利要求1所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述衬底(1)为二氧化硅衬底；所述条形波导(2)为硅波导。3.根据权利要求1所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述条形波导(2)的周围包覆有二氧化硅层(5)。4.根据权利要求2所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述衬底(1)的厚度为2μm。5.根据权利要求1所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述条形波导(2)的厚度H＝...

【专利技术属性】
技术研发人员：惠战强，文习建，韩冬冬，李田甜，葛海波，巩稼民，
申请(专利权)人：西安邮电大学，
类型：发明
国别省市：