一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其包括：一硅基衬底；一设置在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；一设置在所述二氧化硅缓冲层上的基于硅波导的芯层，其包括：从左到右依次相连的一输入直波导、一第一亚波长光栅结构和一正弦函数弯曲波导，以及从左到右依次相连的一第二亚波长光栅结构和一输出直波导，其中，所述第二亚波长光栅结构与所述第一亚波长光栅结构平行设置并与该第一亚波长光栅结构的输入端对齐；以及一设置在所述二氧化硅缓冲层上并包覆在所述芯层外的二氧化硅包层。本实用新型专利技术不仅实现了偏振分束功能，而且具有结构简单紧凑、消光比高、带宽大、工艺流程不繁琐复杂等优异性能。工艺流程不繁琐复杂等优异性能。工艺流程不繁琐复杂等优异性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片


[0001]本技术涉及集成硅光子芯片领域，尤其涉及一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片。

技术介绍

[0002]偏振分束器(PBS)和偏振旋转器(PRS)对于偏振复用、偏振分集、相干光收发器和量子PIC(光子集成电路)等具有重要意义。以PBS为例，其作为硅光子电路的基本组成部分，具有偏振处理能力。通过使用紧凑型PBS，可以利用发射光的偏振维度，从而增加片上光学系统的数据容量。
[0003]众所周知，在耦合模式理论的基础上，通过优化结构中的各个参数并计算相对应的有效模式指数，使得对于TM模式能匹配并使其发生耦合，对于TE模式不发生匹配和耦合。PBS结构可以在输入TE模和TM模时实现分离的功能。最近，不同的结构，如基于光子晶体、多模干涉(MMI)结构、定向耦合器(DCs)、马赫
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曾德尔干涉仪(MZI)结构和光栅辅助反方向耦合器(GACC)，已经成功地被证明可以实现PBS结构。但是一般来说，MMI和MZI往往具有较大的插入损耗(IL)和尺寸，这阻碍了它们在超紧凑PIC中的应用。定向耦合器通常由两个平行波导组成，结构简单。在已演示的宽带PBS中，弯曲DC
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PBS由于其紧凑的占地面积、高稳定性和设计简单而被视为具有吸引力的结构。然而，寻常DC结构的工作带宽小、串扰高，在实际应用中效果不好。因此，在宽带通信系统中，开发高消光比、低插入损耗的宽带PBS是迫切需要的。
[0004]一方面来说，光栅是一种不同折射率材料周期性交替的结构。近年来，随着微纳加工技术的发展，光栅的特征尺寸越来越小，亚波长光栅(SWG)波导越来越受到人们的关注，并得到广泛的重视。在SWG波导中，光栅周期(间距)远小于光在其中传播的波长(工作波长)。此外，可以通过调整其周期和占空比来改变SWG波导中模式的色散关系，光栅结构可以帮助光快速发生耦合，这些优异的性能导致了许多基于SWG器件的创新。此外，SWG波导还用于偏振管理设备，包括PRS和PBS。然而，在传统的双波导直流结构中，要将SWG波导转换成常规波导，往往需要一个锥形区域，这会使制作过程复杂化，增加器件的整体长度。
[0005]另一方面来说，绝缘体上硅(SOI)由于具有高折射率对比度和与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的特点，被认为是硅光子学中最重要和最有前途的平台之一，这使得它有可能实现紧凑、低成本的集成电路，以及高产量PIC。然而，Si(～3.47)和SiO2(～1.44)之间的高折射率反差为光提供了强大的限制，使SOI波导具有亚微米横截面和较小的弯曲半径。同时，高折射率对比度以及结构的不对称性也会导致波导的双折射，因此几乎所有基于SOI平台的集成光学器件都是偏振相关的，这限制了它在光通信系统中的应用。
[0006]综合这两方面来看，SWG作为一种均匀介质，可以有效地抑制衍射效应，并且发生快速耦合，通过改变光栅周期和占空比，可以灵活地调整波导芯的等效折射率和器件的结构双折射率，从而为SOI或其他平台中新型光子器件的设计提供新的自由度；而与此同时，在SOI平台上设计基于SWG的偏振光学器件也可以大大降低器件的制造要求。
[0007]鉴于上述情况，可以同时利用SOI平台和SWG开发一种适用于宽带通信系统中的具有高消光比、低插入损耗的宽带PBS。

技术实现思路

[0008]为了解决上述技术问题，本技术旨在提供一种紧凑的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，从而不仅能提高在特定光波段的偏振分束性能，还能减小器件体积，提高器件消光比，增大工作带宽，简化工艺流程。
[0009]本技术所述的一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其包括：
[0010]一硅基衬底；
[0011]一设置在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；
[0012]一设置在所述二氧化硅缓冲层上的基于硅波导的芯层，其包括：从左到右依次相连的一输入直波导、一第一亚波长光栅结构和一正弦函数弯曲波导，以及从左到右依次相连的一第二亚波长光栅结构和一输出直波导，其中，所述第二亚波长光栅结构与所述第一亚波长光栅结构平行设置并与该第一亚波长光栅结构的输入端对齐；以及
[0013]一设置在所述二氧化硅缓冲层上并包覆在所述芯层外的二氧化硅包层。
[0014]在上述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片中，所述输入直波导的长度为2～4μm，宽度为0.45～0.5μm。
[0015]在上述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片中，所述第一亚波长光栅结构和第二亚波长光栅结构的长度均为5～7μm，宽度均为0.45～0.5μm；
[0016]所述第一亚波长光栅结构的周期为0.3～0.4μm，占空比为0.5～0.7，该第一亚波长光栅结构的光栅数量为15～17；
[0017]所述第二亚波长光栅结构的周期为0.4～0.5μm，占空比为0.5～0.8，该第二亚波长光栅结构的光栅数量为12～14；
[0018]相互平行的所述第一亚波长光栅结构和第二亚波长光栅结构之间的间距为0.25～0.35μm。
[0019]在上述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片中，所述正弦函数弯曲波导的长度为5～12μm，宽度为0.45～0.5μm，横向偏移长度为3～5μm，弯曲半径为7～10μm。
[0020]在上述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片中，所述输出直波导的长度为5～10μm，宽度为0.45～0.5μm。
[0021]在上述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片中，所述二氧化硅缓冲层的厚度为2μm。
[0022]在上述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片中，所述二氧化硅包层的厚度为2μm。
[0023]基于上述技术方案，本技术不仅实现了偏振分束功能，而且还具有结构简单紧凑、消光比高、带宽大、工艺流程不繁琐复杂等优异性能，未来可通过加入锥形结构、倾斜光栅角度、刻蚀波导等操作进一步改善器件性能，其在硅基光子领域具有重要的应用前景。
附图说明
[0024]图1是本技术的一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片的结构剖视图；
[0025]图2是本技术的一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片中基于硅波导的芯层的结构俯视图；
[0026]图3是基于时域有限差分法使用Lumerical FDTD Solutions模拟在中心波长为1550nm时，TE偏振光入射本技术的一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片时的光传输的场分布图；
[0027]图4是基于时域有限差分法使用Lumerical FDTD Solutions模拟在中心波长为1550nm时，TM偏振光入射本技术的一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片时的光传输的场分布图；
[0028]图5是本技术的一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片在1520
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1580nm波段的TE偏振光消光比图；
[0029]图6是本技术的一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片在1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其特征在于，所述芯片包括：一硅基衬底；一设置在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；一设置在所述二氧化硅缓冲层上的基于硅波导的芯层，其包括：从左到右依次相连的一输入直波导、一第一亚波长光栅结构和一正弦函数弯曲波导，以及从左到右依次相连的一第二亚波长光栅结构和一输出直波导，其中，所述第二亚波长光栅结构与所述第一亚波长光栅结构平行设置并与该第一亚波长光栅结构的输入端对齐；以及一设置在所述二氧化硅缓冲层上并包覆在所述芯层外的二氧化硅包层。2.根据权利要求1所述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其特征在于，所述输入直波导的长度为2～4μm，宽度为0.45～0.5μm。3.根据权利要求1所述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其特征在于，所述第一亚波长光栅结构和第二亚波长光栅结构的长度均为5～7μm，宽度均为0.45～0.5μm；所述第一亚波长光栅结构的周期为0.3～0.4μm，...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯吉军，刘海鹏，
申请(专利权)人：苏州科沃微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：