一种提高偏振消光比的方法、装置及系统制造方法及图纸

本申请公开了一种提高偏振消光比的方法、装置及系统，其中，提高偏振消光比的方法，包括：确定宽波导的长度；确定宽波导的长度后，对相移波导的长度进行调节，获得相移波导的均衡后长度；确定相移波导的均衡后长度，再对宽波导的长度进行调节，获得宽波导的调节后长度；根据相移波导的均衡后长度和宽波导的调节后长度对TE模和TM模的消光比进行判断，若满足预设条件，则确定均衡后相移波导的长度和调节后宽波导的长度为调节参数，根据调节参数进行偏振消光比调节；若不满足预设条件，则重新确定宽波导的长度。本申请同时优化宽波导L1w和相移波导L2n_1的长度，调节MZI两臂之间的双折射和臂长差，使PBS的两个输出端的PER同时得到提高。高。高。

【技术实现步骤摘要】
一种提高偏振消光比的方法、装置及系统


[0001]本申请涉及集成光学
，尤其涉及一种提高偏振消光比的方法、装置及系统。

技术介绍

[0002]硅基二氧化硅偏振分束器(Polarization Beam Splitter，PBS)具有损耗低、便于集成的优点。基于硅基二氧化硅平台来制作PBS，有几种方案：第一种是在上包层上面溅射非晶硅(amorphous
‑
Si)薄膜来控制波导的双折射，该方案需要激光微调(Laser Trimming)技术来对波导双折射进行精确控制，工艺复杂。第二种是在对称的MZI(Mach
‑
Zehnder interferometer，马赫曾德干涉仪)中插入λ/4波片的薄膜来改变TE和TM模的光程差(其中，λ表示波长，TE和TM表示光的偏振模式)，该方案可以降低器件对温度和波长的依赖性。第三种是在MZI的两臂上刻蚀沟槽并填充低折射率的材料，来改变两臂的双折射，该方案可以实现高的偏振消光比(大于30dB)。第四种是利用硅基二氧化硅波导的双折射与波导芯区宽度有关的效应来实现PBS，该方案不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高偏振消光比的方法，其特征在于，包括：确定宽波导的长度；确定宽波导的长度后，对相移波导的长度进行调节，获得相移波导的均衡后长度；确定相移波导的均衡后长度，再对宽波导的长度进行调节，获得宽波导的调节后长度；根据相移波导的均衡后长度和宽波导的调节后长度对TE模和TM模的消光比进行判断，若满足预设条件，则确定相移波导的均衡后长度和宽波导的调节后长度为调节参数，根据调节参数进行偏振消光比调节；若不满足预设条件，则重新确定宽波导的长度。2.根据权利要求1所述的提高偏振消光比的方法，其特征在于，预设条件为TE模和TM模的消光比均大于30dB。3.根据权利要求1所述的提高偏振消光比的方法，其特征在于，相移波导的均衡后长度为1920
μ
m，宽波导的调节后长度为3650
μ
m。4.一种偏振分束器，其特征在于，包括：第一耦合器和第二耦合器；其中，第一耦合器具有第一输出端和第二输出端；第二耦合器具有第三输入端和第四输入端；第一输出端与第一窄波导、第一锥形过渡波导、宽波导、第二锥形过渡波导和第二窄波导依次连接，第二窄波导与第三输入端连接；第二输出端与相移波导、第三锥形过渡波导、第四锥形过渡波导和第三窄波导依次相连，第三窄波导与第四输入端连接；其中，所述宽波导的调节后长度和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：任梅珍，周来，
申请(专利权)人：北京量子信息科学研究院，
类型：发明
国别省市：