半导体器件以及使用该半导体器件的信号处理系统技术方案

在一个具有分别连到多个输入端的电容器装置且电容的其余引线端共同连到一个读出放大器的半导体器件中，通过利用在一个绝缘表面上的一个半导体层来形成该电容器和该读出放大器，从而用一个小的电路规模实现了对具有从多个输入端提供的较大位数的信号的高速、高精度处理。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件以及使用该半导体器件的运算器件、信号转换器和信号处理系统，更具体地说，涉及能执行并行算术运算的半导体器件以及使用该半导体器件的能执行如一个相关算术运算的运算器件、用于将一个信号进行A—D(模数)或D—A(数模)转换的信号转换器，和信号处理系统。近年来，伴随着信号处理技术的提高，实现低成本的能在短时间范围内以高速度处理非常大的数据量的运算器件已变得很重要。尤其是，用于一个相关运算器件的技术，该器件可用于动态图象的运动检测、高精度的模—数(A/D)转换器、扩展频谱(SS)通信，以及类似的需要GHz量级信号处理的领域。通常，用一个半导体集成电路实现这样一个功能时，并行算术运算通过使用多个半导体芯片来实现以获得高速处理，或者用最新的微设计(micro—layout)规则将电路集成在一个相当大的芯片上。众所周知，当所处理的信号的位数增加时，芯片的电路规模增大得很快。例如，电路规模随要进行运算的位数的平方成比例地增大。因此，成本将随着位数增加而提高，或者使电路规模增大到在许多场合中不切实际的水平。本专利技术的一个目的是提供一种能实现新的信号处理来解决上述传统问题的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，它包括： 多个输入端； 多个电学上与上述输入端相连的电容器装置；以及 一个读出放大器，上述电容器装置的其余引线端在电学上共同与它连在一起， 其中，上述电容器装置和上述读出放大器利用一个半导体层形成在一个绝缘表面上。

【技术特征摘要】
JP 1994-10-28 265039/941.一种半导体器件，它包括多个输入端；多个电学上与上述输入端相连的电容器装置；以及一个读出放大器，上述电容器装置的其余引线端在电学上共同与它连在一起，其中，上述电容器装置和上述读出放大器利用一个半导体层形成在一个绝缘表面上。2.根据权利要求1的器件，其中，至少为上述电容器装置的两个引线端中的一个配置一个开关元件。3.根据权利要求1的器件，其中上述电容器装置是通过将多个具有相同结构的电容器元件相互并联而形成的。4.一个具有多个权利要求1所述的半导体器件的半导体器件，其中，将来自上述多个半导体器件中的第一半导体器件的一个输出和/或该输出的一个反相输出输入到第二半导体器件。5.根据权利要求1的器件，其中，当用C表示相应于上述多个输入端的上述电容器装置的最小电容值时，共同连在一起的电容器装置的电容值的总和精确地或从本质上说为该最小电容C的一个奇数倍值。6.根据权利要求2的器件，其中，上述开关元件和上述读出放大器中之一是通过利用一个场效应晶体管而形成的。7.根据权利要求6的器件，其中，上述场效应晶体管是用台面隔离的。8.根据权利要求6的器件，其中，上述电容器装置是用在形成上述场效应晶体管的栅电极的同一工艺中形成的一个导电层和绝缘表面上的一个半导体层形成的。9.根据权利要求6的器件，其中，将一个电源连到上述场效应晶体管的一个阱层上。10.根据权利要求6的器件，其中，当上述场效应晶体管的一个沟道形成时，至少将在一个栅电极下的一个阱层设在耗尽状态。11.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上俊辅，宫脇守，光地哲伸，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]