包括Z轴导电膜的微电子组件制造技术

技术编号:3222032 阅读:241 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
由非导电毫微孔薄膜互联起来的第一和第二电子部件,其特征在于,所述薄膜具有穿过薄膜厚度并填充有金属的孔隙,从而每一上述装置与至少几个孔隙中的金属接触。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子器件的组件和封装,微电子器件包括半导体电路芯片、印刷电路板、薄膜网(TFN)的多芯片电路模块;本专利技术尤其涉及通过电和/或热将这些器件和模块互联起来的新装置。背景为了提供更可靠、成本更低的微电子互联装置,人们已经进行了至少三十年的努力。由于长期以来趋向于采用更大的电路密度以及因此需要减小电路芯片上连接片的大小和缩小连接片之间的间隔,对互联装置进行改进的要求日趋强烈。事实上,所有的半导体器件是采用焊线来组装的,从而在电路芯片上提供与金属连接片的欧姆连接。现有的焊线要求从一个连接片的中心到相邻连接片中心之间的间隔至少为6密耳。这一限制已经阻碍了电路芯片尺寸的进一步减小和电路密度的进一步增大。焊线的这一和其他限制几十年来已为人们知晓;并且很明显,人们对能够突破使尺寸和连接片间隔的惊人减小的焊线不抱什么希望。人们所作替代焊线的努力包括使用“高密度互联”结构,这种结构采用合成树脂膜,这种膜具有沿薄膜一个表面延伸并延伸穿过树脂膜中的通孔而与电路芯片上的隐埋连接片形成欧姆接触的金属图案。例如参见Gorczyca等人的美国专利5,161,093。这种现有技术的结构没有满足本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.由非导电毫微孔薄膜互联起来的第一和第二电子部件,其特征在于,所述薄膜具有穿过薄膜厚度并填充有金属的孔隙,从而每一上述装置与至少几个孔隙中的金属接触。2.一种部件组件,其特征在于,它包含毫微孔薄膜,所述薄膜在选择的孔中填充有金属;第一电子部件,它具有在薄膜的一个表面上接触所述金属的第一欧姆触点;第二电子部件,它在所述薄膜的相对表面上具有接触所述金属的第二欧姆触点。3.由非导电毫微孔薄膜互联起来的第一和第二电子部件,其特征在于,所述薄膜具有穿过薄膜厚度并填充有金属的孔隙,从而每一上述装置与至少几个孔隙中的金属接触,而所述表面的其他一些孔隙中未被填充,以便提高所述薄膜的压缩性。4.由具有第一和第二平行表面的非导电毫微孔薄膜互联起来的第一和第二电子部件,所述薄膜具有穿过所述薄膜厚度并填充有金属的孔隙,从而每一所述部与与至少几个孔隙中的金属接触,几个所述孔隙与薄膜的表面垂直,而其他的孔隙倾斜于所述薄膜的表面,从而增强了薄膜平面的热耗散。5.由非导...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗伯特·K·彼得森唐纳德·L·普里顿戈登·D·梅里特比利·D·埃布尔斯
申请(专利权)人:德克萨斯仪器股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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