半导体加速度传感器制造技术

为了从一个半导体晶片中制造大量的传感器，在本发明专利技术中扩散电阻被置于传感器的侧面。通过在传感器的侧面上提供位移检测装置，通过较少的制造工序就可以获得高精密度低成本的传感器，而无须蚀刻工序。而且，可以提供较好成品率的包括半导体加速度传感器的半导体器件。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术特别涉及一种半导体器件的加速度传感器和压力传感器，这种半导体器件利用诸如硅的半导体晶体的压-电效应把位移转换成电信号。微处理技术的最新发展使得通过在半导体晶片上形成一个薄膜和蚀刻它来制造半导体加速度传感器成为可能(例如，见IEEE电子装置学报，1979年10月，ED-26卷，No.12)。图3所示为利用现有技术中的微处理技术制造的半导体加速度传感器，其中图3A是平面图，图3B是剖面图。硅基片1被蚀刻，形成一个悬臂2和一个载荷3。这里，悬臂2通过蚀刻形成比其他部分薄的部分，并沿图3B中的箭头方向的加速度变形。悬臂2的变形被位于悬臂2上表面的扩散电阻4a的压-电效应检测，并通过与扩散电阻4b比较，加速度被建立。这里，扩散电阻4a和4b被连接到高浓度扩散区5和输出端子8。而且，一个上挡板6和下挡板7以及整个结构安置在陶瓷基片10上，从而防止了悬臂2被破坏。图4A所示的半导体加速度传感器是利用日本专利公开Hei 1-302167中披露的微处理技术制造的，其中凹槽35是通过在悬臂2的支承物9附近蚀刻形成的，以提供一个薄部36。扩散电阻4c、4d、4e和4f组成一个桥式电路50，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有半导体加速度传感器的半导体器件，包括：一个具有应力敏感部分的从半导体晶片中取出的立方体形结构；一个用来固定和支承从所说的半导体晶片中取出的所说的立方体形结构的支承物；和用于固定所说的立方体形结构的至少一个边缘的装置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1996-2-27 40128/961.一种具有半导体加速度传感器的半导体器件，包括一个具有应力敏感部分的从半导体晶片中取出的立方体形结构；一个用来固定和支承从所说的半导体晶片中取出的所说的立方体形结构的支承物；和用于固定所说的立方体形结构的至少一个边缘的装置。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于用来制造具有所说的应力敏感部分的所说的立方体结构的所说的半导体晶片的厚度是一个平面，该平面与具有所说的立方体的所说的压力敏感部分的至少一个平面正交。3.一种如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于在所说的立方体结构取出的厚度方向上，与所说的半导体晶片的大小相比，具有所说的应力敏感部分的平面的大小被减小。4.一种如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于在所说的立方体结构取出的所说的半导体晶片的厚度方向上，所说的半导体晶片的一个部分在厚度方向上是矩形的，并且所说的应力敏感部分在所说的半导体晶片的厚度方向上位于该部分的短轴侧。5.一种如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于从具有所说的应力敏感部分的所说的半导体晶片中取出的所说的立方体结构的所说的应力敏感部分正交于所说的支承装置的支承面的水平面。6.一种如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所说的应力敏感部分包括一个桥式电路。7.一种如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于包括所说的桥式电路的电阻是扩散电阻。8.一种如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所说的应力敏感部分的所说的扩散电阻位于具有所说的变形敏感部分的表面的外缘部分，该表面正交于与所说的半导体晶片的厚度相对应的表面并包括一桥式电路。9.一种如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于它在接受正加速度的侧面上具有所说的桥式电路的一对扩散电阻，和在接受负加速度的侧面上有一对扩散电阻。10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于它具有一个桥式电路，该桥式电路具有有接受正加速...

【专利技术属性】
技术研发人员：新荻正隆，齐藤丰，加藤健二，
申请(专利权)人：株式会社精工电子研究开发中心，
类型：发明
国别省市：JP[日本]