半导体加速度传感器制造技术

将扩散电阻设置在传感器的一个侧面上，从一块半导体晶片制造大量的传感器。采取检测传感器一个侧面上的位移量的措施，以较少的制造步骤，不用蚀刻处理过程，即能得到精确而价廉的传感器。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
含有半导体加速度传感器的半导体器件，其特征在于它包括：从半导体晶片切割出来的具有应变检测部分的直角平行六面体型结构；固定和支持从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构用的支持体；固定该直角平行六面体的结构至少一端的装置；以及在设置了从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构的应变检测部分的表面上的多个桥路。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：新荻正隆，齐藤丰，加藤健二，
申请(专利权)人：株式会社精工电子研究开发中心，
类型：发明
国别省市：JP[日本]