【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片的制法和用于该晶片制法的装置。各种半导体器件的制造中所使用的晶片，一般是将Si、GaAs等结晶块按一定间隔切断成板状体，再对其表面进行镜面研磨而获得。在上述结晶块的切断中，历来是使用用于金属切削的金刚石片锯和钢丝锯，将高速旋转的金刚石片或高速振动的钢丝压接在晶块表面上，靠其冲击以物理的方式将晶块切断。但是，上述切断方法，不是仅仅将金刚石片和钢丝吃入晶块的部分切除，甚至也使其周围变形、破坏，因此，作为切断余量，必须浪费掉相当厚度的晶块，存在不经济的问题。更具体地说，在上述切断方法中，为切出1枚晶片，例如约500μm厚度部分作为切断余量浪费掉，在切出500μm厚度的晶片的场合，就有晶块的约50％作为切断余量浪费掉。另外，上述切断方法，因为在反复进行切断作业时发生工具卷刃和烧附，且切削味难闻，所以必须定期更换金刚石片和钢丝等，也存在需要费功夫的问题。进而，上述切断方法，为赋予切削部冷却效果和润滑效果而喷射切削液，但该切削液和切削时产生的切屑向周围飞散，也有污染环境的问题。并且混合上述切屑的切削液，无论是回收供再利用，还是废弃除去，切屑和切削液的分...
【技术保护点】
晶片的制造方法，该方法是一种由结晶块获得晶片的方法，其特征在于，将对上述结晶块的构成成分显示高浸蚀特性的浸蚀气体，以分子流线形流动状态供给到该结晶块的切断预定部，使上述结晶块的切断预定部由表面侧逐渐挥发除去，借此最终将切断预定部全部挥发除去而切出晶片。
【技术特征摘要】
JP 1996-4-4 82423/961.晶片的制造方法，该方法是一种由结晶块获得晶片的方法，其特征在于，将对上述结晶块的构成成分显示高浸蚀特性的浸蚀气体，以分子流线形流动状态供给到该结晶块的切断预定部，使上述结晶块的切断预定部由表面侧逐渐挥发除去，借此最终将切断预定部全部挥发除去而切出晶片。2.权利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，上述浸蚀气体是由ClF3、NF3、CCl2F2、CF4、C2F6、C3F8、CHF3、CCl4、SF6、CCl3F和HCl构成的组中选择的至少一种气体。3.权利要求1或2所述的晶片制造方法，其特征在于，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：横山敬志，山本和马，山本政人，三岛孝博，松田豪，伊藤茂树，
申请(专利权)人：空气及水株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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