一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质技术方案

本申请公开了一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质，其中清洗方法包括：获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数；所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令；根据所述第一指令控制机台对所述研磨垫执行清洗操作。可以实现机台自动清洗研磨垫上残留的晶边杂质，在研磨垫上的杂质被清洗后，再次对晶圆进行研磨时会减少刮伤影响，降低晶圆刮伤缺陷概率。降低晶圆刮伤缺陷概率。降低晶圆刮伤缺陷概率。

【技术实现步骤摘要】
一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质


[0001]本申请涉及但不限于半导体的
，尤其涉及一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]在动态随机存取存储器(DRAM)半导体制程工艺，特别是化学机械研磨(CMP)制程中，由于晶边脱落并在研磨垫上逐渐累积，在研磨过程中极易形成晶圆刮伤缺陷，导致产品良率降低。
[0003]相关的半导体工艺流程中，通常使用研磨液的方式对研磨垫进行清洗、保湿，但是该种方式对化学机械研磨制程中晶圆刮伤缺陷的解决并无显著效果；再有大多采用人工手动去做，流程繁琐且容易遗漏。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质，为解决现有技术中采用研磨液清洗的方式对晶圆刮伤缺陷的解决并无显著效果，并且人工手动清洗的方式流程繁琐且容易遗漏的问题。
[0005]为解决上述技术问题，根据一些实施例，本申请提供了一种清洗研磨垫的方法，包括：获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数；所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令；根据所述第一指本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洗研磨垫的方法，其特征在于，包括：获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数；所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令；根据所述第一指令控制机台对所述研磨垫执行清洗操作。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数包括，获取研磨垫连续研磨晶圆的第一累计研磨片数或者研磨垫间隔研磨晶圆的第二累计研磨片数。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令，其中达到所述预设阈值为达到150
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250片。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述生成第一指令包括：当研磨片数达到预设阈值时，生成“研磨垫自动冲洗”操作弹窗选项，提醒进行清洗动作。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：在根据所述第一指令控制机台执行清洗操作之前还包括：判断该“研磨垫自动清洗”操作弹窗选项是否被选择，若选择，则进入下一步工序；若没有选择，则进入待定模式。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：若没有选择，则进入待定模式具体包括：在待定模式下，控制所述机台每隔一段时间内发出提示声。7.如权利要求5所述的方法，其特征在于：根据所述第一指令控制机台执行清洗操作具体包括：当“研磨垫自动清洗”操作弹窗选项被选择时，获取机台状态；若机台处于闲置状态，根据所述第一指令控制机台执行清洗操作；若机台处于工作状态，根据所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马姣，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：