一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质技术方案

本申请公开了一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质，其中清洗方法包括：获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数；所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令；根据所述第一指令控制机台对所述研磨垫执行清洗操作。可以实现机台自动清洗研磨垫上残留的晶边杂质，在研磨垫上的杂质被清洗后，再次对晶圆进行研磨时会减少刮伤影响，降低晶圆刮伤缺陷概率。降低晶圆刮伤缺陷概率。降低晶圆刮伤缺陷概率。

【技术实现步骤摘要】
一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质


[0001]本申请涉及但不限于半导体的
，尤其涉及一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]在动态随机存取存储器(DRAM)半导体制程工艺，特别是化学机械研磨(CMP)制程中，由于晶边脱落并在研磨垫上逐渐累积，在研磨过程中极易形成晶圆刮伤缺陷，导致产品良率降低。
[0003]相关的半导体工艺流程中，通常使用研磨液的方式对研磨垫进行清洗、保湿，但是该种方式对化学机械研磨制程中晶圆刮伤缺陷的解决并无显著效果；再有大多采用人工手动去做，流程繁琐且容易遗漏。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质，为解决现有技术中采用研磨液清洗的方式对晶圆刮伤缺陷的解决并无显著效果，并且人工手动清洗的方式流程繁琐且容易遗漏的问题。
[0005]为解决上述技术问题，根据一些实施例，本申请提供了一种清洗研磨垫的方法，包括：获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数；所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令；根据所述第一指令控制机台对所述研磨垫执行清洗操作。
[0006]优选的是，所述获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数包括：获取研磨垫连续研磨晶圆的第一累计研磨片数或者研磨垫间隔研磨晶圆的第二累计研磨片数。
[0007]优选的是，所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令，其中达到所述预设阈值为达到150
‑
250片。
[0008]优选的是，所述生成第一指令包括：当研磨片数达到预设阈值时，生成“研磨垫自动冲洗”操作弹窗选项，提醒进行冲洗动作。
[0009]优选的是，在根据所述第一指令控制机台执行冲洗操作之前还包括：判断该“研磨垫自动清洗”操作弹窗选项是否被选择，若选择，则进入下一步工序；若没有选择，则进入待定模式。
[0010]优选的是，若没有选择，则进入待定模式具体包括：在待定模式下，控制所述机台每隔一段时间内发出提示声。
[0011]优选的是，根据所述第一指令控制机台执行清洗操作具体包括：当“研磨垫自动清洗”操作弹窗选项被选择时，获取机台状态；若机台处于闲置状态，根据所述第一指令控制机台执行清洗操作；若机台处于工作状态，根据所述第一指令控制机台在结束工作进入闲置状态之后自动执行清洗操作。
[0012]优选的是，在所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令之前还包括：根据研磨垫的研磨情况，选择适合研磨垫清洗的参数条件。
[0013]优选的是，根据研磨垫的研磨情况，选择适合研磨垫清洗的参数条件，具体包括：选择合适的冲洗液、冲洗液的流量以及冲洗的时间。
[0014]优选的是，所述冲洗液选自喷洒溶液或去离子水中的任意一种或两种，冲洗液的流量控制在5L
‑
15L/min，冲洗时间控制在10
‑
30min之间。
[0015]根据另一些实施例，本申请还提供了一种清洗研磨垫的系统，包括：
[0016]获取模块，其用于获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数；生产执行模块，其用于所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令；控制模块，其用于根据所述第一指令控制机台执行清洗操作。
[0017]根据另一些实施例，本申请还提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现一种清洗研磨垫的方法的步骤。
[0018]根据另一些实施例，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现一种清洗研磨垫的方法。
[0019]本公开的实施例至少具有以下优点：每隔研磨垫研磨晶圆片数量达到预设阀值后，通过机台自动清洗研磨垫上残留的晶边杂质，在研磨垫上的杂质被清洗后，再次对晶圆进行研磨时会减少刮伤影响，降低晶圆刮伤缺陷概率。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1是本申请一实施例中清洗研磨垫的方法的流程图；
[0022]图2是本申请一实施例中清洗研磨垫的系统的流程图；
[0023]图3是显示有/无自动清洗功能研磨晶圆后的对比示意图；
[0024]图4是在不同研磨垫使用寿命下有/无自动清洗功能，晶圆遭受刮伤片数对比图。
具体实施方式
[0025]相关的半导体工艺流程中，通常使用研磨液的方式对研磨垫进行清洗、保湿，但是该种方式对化学机械研磨制程中晶圆刮伤缺陷的解决并无显著效果；再有大多采用人工手动去做，流程繁琐且容易遗漏。
[0026]为解决上述问题，本申请一实施例提供了一种清洗研磨垫的方法，包括：获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数；所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令；根据所述第一指令控制机台对所述研磨垫执行清洗操作。
[0027]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。以下各个实施例的划分是为了描述方便，不应对本申请的具体实现方式构成任何限定，各个实施
例在不矛盾的前提下可以相互结合，相互引用。
[0028]图1是本申请一实施例中清洗研磨垫的方法的流程图，以下结合附图对本实施例提供的一种清洗研磨垫的方法作进一步详细说明，具体包括如下：
[0029]如图1所示，S101、获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数。
[0030]详细的可包括，研磨垫在对晶圆进行研磨的过程中，晶圆的晶边容易脱落，并会累积在研磨垫上，影响研磨垫的使用，因此需要获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数，根据研磨垫的研磨情况自动进行清洗，将累积在研磨垫上的杂质进行清除。
[0031]在其他实施例中，也可以根据研磨垫研磨10小时、15小时或者20小时后，就可以先停止研磨垫的研磨动作，同样的进行后续的清洗过程，直到研磨垫清洗完成。
[0032]其中也可以根据自动暂停时间设置预设时间。具体的自动暂停时间用于根据研磨垫研磨时间10小时、15小时或者20小时后，自动暂停研磨垫的研磨动作。而预设时间是在自动暂停时间前10min、30min或预设的其他时间来做提示，提醒在达到自动暂停时间时系统即将暂停研磨垫的研磨动作，同时会弹出选择，是否要在到达自动暂停时间时停止研磨。若制程工程师不做选择或是选择确定，系统则在到达自动暂停时间时自动停止研磨，若制程工程师选择否，则系统在到达自动暂停时间时继续进行研磨，制程工程师可根据当时具体操作环境以及步骤自主选择暂停研磨，实现系统的进一步优化，更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洗研磨垫的方法，其特征在于，包括：获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数；所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令；根据所述第一指令控制机台对所述研磨垫执行清洗操作。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数包括，获取研磨垫连续研磨晶圆的第一累计研磨片数或者研磨垫间隔研磨晶圆的第二累计研磨片数。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令，其中达到所述预设阈值为达到150
‑
250片。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述生成第一指令包括：当研磨片数达到预设阈值时，生成“研磨垫自动冲洗”操作弹窗选项，提醒进行清洗动作。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：在根据所述第一指令控制机台执行清洗操作之前还包括：判断该“研磨垫自动清洗”操作弹窗选项是否被选择，若选择，则进入下一步工序；若没有选择，则进入待定模式。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：若没有选择，则进入待定模式具体包括：在待定模式下，控制所述机台每隔一段时间内发出提示声。7.如权利要求5所述的方法，其特征在于：根据所述第一指令控制机台执行清洗操作具体包括：当“研磨垫自动清洗”操作弹窗选项被选择时，获取机台状态；若机台处于闲置状态，根据所述第一指令控制机台执行清洗操作；若机台处于工作状态，根据所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马姣，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：