一种制造半导体集成电路字线的方法技术

一种制造字线的方法，首先在一硅基片上，形成一些栅极。之后在栅极之上依序形成一金属硅化物层与一富硅层，其中，富硅层可以是一具有较高硅浓度的金属硅化物，或是一纯硅层。以此方法制得字线包括富硅层、金属硅化物层与多晶硅层。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路(integrated circuits；ICs)的制造方法，特别是有关动态随机存取存储器(dynamic random access memory；DRAM)电路的字线制造方法。为了要使DRAM电容的表面积最大化，典型的作法是在字线(word lines)上形成电容。然而，因为字线和存储单元(storage cells)都是导电层，因此必须在两者之间形成绝缘层。氧化硅和氮化硅(silicon nitride)两者广泛地被用作为绝缘层。但是，使用氮化硅会在晶体管栅极引起潜藏的应力效应(stresseffect)，而且也导致栅极构型上的困难。因此，应用上氧化硅是最常被使用的材料。通常以淀积法来形成氧化硅作为盖层氧化物(cap oxide)，特别是采用低压化学气相淀积法(Iow pressure chemical vapor deposition；LPCVD)温度为700℃，因为其结果有效率。以下叙述一公知的制造方法，在DRAM制造时形成字线的方法。参照图1A，提供一预先埋入一些位线12，栅极氧化层14及字线16的基片10。然后，在字线16上形成一耐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造字线的方法，包括： 提供一基片； 在该基底上形成一栅极； 在该栅极上，形成一第一金属硅化物层；以及 在该第一金属硅化物层上，形成一第二金属硅化物层，其中该第二金属硅化物层的硅浓度比该第一金属硅化物层的硅浓度高。

【技术特征摘要】
1.一种制造字线的方法，包括提供一基片；在该基底上形成一栅极；在该栅极上，形成一第一金属硅化物层；以及在该第一金属硅化物层上，形成一第二金属硅化物层，其中该第二金属硅化物层的硅浓度比该第一金属硅化物层的硅浓度高。2.根据权利要求1所述的方法，制造一种动态随机存取存储器的字线。3.如权利要求1所述的制造方法，还包括在该第二金属硅化物层上形成一盖层氧化层。4.一种制造字元线的方法，包括提供一基片；在该基底上形成一栅极；在该栅极上形成一金属硅化物层；以及在该金属硅化物层上形成一纯硅层5.根据权利要求4所述的制造方法制造一种动态随机存取存储器的字线。6.如权利要求4所述的制造方法，还包括在该纯硅层上形成一盖层氧化层。7.一种制造半导体结构的方法，该制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴德源，盛义忠，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]