一种全彩化Micro-LED显示面板及其制造方法技术

本发明专利技术属于半导体发光器件技术领域，公开了一种全彩化Micro

【技术实现步骤摘要】
一种全彩化Micro
‑
LED显示面板及其制造方法


[0001]本专利技术属于半导体发光器件
，更具体地，涉及一种全彩化Micro
‑
LED显示面板及其制造方法。

技术介绍

[0002]三族氮化物发光二极管(Light Emitting Diodes，简称“LED”)由单晶化合物半导体制成，因其相比于其他光源(如白炽灯、荧光灯和有机发光二极管)具有更高的发光效率和更强的耐用性，被广泛用于照明、数字标牌和液晶显示器背光等显示应用。近年来在显示器行业，对具有非常宽的色域和高分辨率的自发光显示器的需求日益增长，而微型发光二极管(Micro
‑
LED)被视为实现高分辨率及宽色域显示器的最佳选择，它具有功耗低、响应快、寿命长、光效率高等特点。
[0003]随着Micro
‑
LED芯片尺寸缩小，其侧壁面积占整体表面积比例增大，侧壁出光占据总出光量的大部分，不可忽略。在红绿蓝三基色全彩化显示中，Micro
‑
LED芯片侧壁出光会串扰到相邻芯片，影响显示的对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全彩化Micro
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LED显示面板，其特征在于，包括：驱动面板、三基色Micro
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LED芯片阵列、曲面反射镜阵列和封装胶；所述三基色Micro
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LED芯片阵列、所述曲面反射镜阵列均置于所述驱动面板上；所述三基色Micro
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LED芯片阵列包括若干个倒装红光Micro
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LED芯片、倒装绿光Micro
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LED芯片和倒装蓝光Micro
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LED芯片；所述曲面反射镜阵列包括若干个曲面反射镜，若干个所述曲面反射镜形成空腔阵列，所述空腔阵列的内壁上沉积有反射层；所述空腔阵列中依次放置有所述倒装红光Micro
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LED芯片、所述倒装绿光Micro
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LED芯片和所述倒装蓝光Micro
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LED芯片；所述封装胶填充于所述空腔阵列中，且所述封装胶覆盖Micro
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LED芯片和所述曲面反射镜。2.根据权利要求1所述的全彩化Micro
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LED显示面板，其特征在于，所述倒装红光Micro
‑
LED芯片、所述倒装绿光Micro
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LED芯片和所述倒装蓝光Micro
‑
LED芯片中的DBR反射层均采用变厚度的高反射全角DBR反射层。3.根据权利要求2所述的全彩化Micro
‑
LED显示面板，其特征在于，所述变厚度的高反射全角DBR反射层为折射率不同的两种材料交替排列组成的周期性薄膜；所述变厚度的高反射全角DBR反射层包括多对由高折射率材料和低折射率材料组成的叠层结构；各叠层结构中的高折射率材料和低折射率材料的厚度满足以下条件：n
H
t
H
＝n
L
t
L
＝λ/4；其中，n
H
和n
L
分别是高折射率材料的折射率和低折射率材料的折射率，t
H
和t
L
分别是高折射率材料的厚度及低折射率材料的厚度，λ为叠层结构的中心反射波长。4.根据权利要求3所述的全彩化Micro
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LED显示面板，其特征在于，所述叠层结构的对数大于等于14对，各叠层结构的中心反射波长为从红光、绿光到蓝光波段；其中，红光波段为620nm到770nm，绿光波段为492nm到590nm，蓝光波段为390nm到492nm。5.根据权利要求4所述的全彩化Micro
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LED显示面板，其特征在于，所述高折射率材料采用Ti3O5，所述低折射率材料采用SiO2；所述变厚度的高反射全角DBR反射层包括14对Ti3O5/SiO2叠层结构，各叠层结构的中心反射波长依次为：689nm、647nm、645nm、631nm、619nm、619nm、585nm、543nm、502nm、497nm、464nm、437nm、433nm和39...

【专利技术属性】
技术研发人员：周圣军，施浪，杜鹏，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：