一种超宽带高集成低损耗的过渡结构及其设计方法技术

技术编号:32203445 阅读:32 留言:0更新日期:2022-02-09 17:08
本发明专利技术提供一种超宽带高集成低损耗的过渡结构及其设计方法,包括上层基板、过渡层、下层基板、共面波导、微带线、带状线、信号孔、接地孔;上层基板为材质LTCC的多层结构,过渡层结构为BGA类同轴结构,下层基板为TSM

【技术实现步骤摘要】
一种超宽带高集成低损耗的过渡结构及其设计方法


[0001]本专利技术涉及印刷电路
,具体涉及一种超宽带高集成低损 耗的过渡结构及其设计方法。

技术介绍

[0002]随着电子系统应用场景与领域的多样化,复杂的应用环境对其传 输性能要求愈发严苛。超宽带高集成的低损耗过渡设计方法是微系统 领域解决体积、重量、可靠性问题的重要途径,是突破当前电子系统 发展的关键方案。
[0003]传输线作为微系统重要组成部分,传输线过渡设计对微系统的性 能起着极为重要的作用。目前越来越多微系统凭借不同材料介质间的 组合,实现高性能、高集成的传输性能,因此对于不同材料介质间的 匹配以及过渡设计尤为重要。

技术实现思路

[0004]本专利技术是为了解决目前带宽宽、集成难度大以及传输损耗大的问 题,提供一种超宽带高集成低损耗的过渡结构及其设计方法,采用LTCC 以及TSM

DS3两种高频介质材料,同时也满足多层印制电路板的加工 需求。不同种材料介质基板间采用BGA表贴器件焊接,射频信号通过 类同轴的方式进行互连,可有效改善信本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超宽带高集成低损耗的过渡结构,其特征在于:包括从上到下依次设置的上层基板(1)、过渡层(2)、下层基板(3),设置在所述上层基板(1)上表面水平过渡的共面波导(4)、微带线(5),设置在所述下层基板(3)内部的带状线(6),设置在所述共面波导(4)两侧的GND(7)和设置在所述上层基板(1)、所述过渡层(2)中的信号孔(8)、接地孔(9);所述上层基板(1)为材质LTCC的多层结构,所述过渡层(2)结构为BGA,所述BGA为类同轴结构,所述下层基板(3)为PCB板,所述PCB板的介质材料为TSM

DS3,所述微带线(5)的末端通过所述过渡层(2)和所述信号孔(8)与所述带状线(6)的前端连接,所述带状线(6)两侧均设置所述接地孔(9),所述GND(7)所在位置的上层基板(1)和所述下层基板(3)中设置所述接地孔(9),所述信号孔(8)和所述接地孔(9)为通孔;射频信号从所述共面波导(4)水平过渡至所述微带线(5)再通过所述过渡层(2)以及所述信号孔(8)垂直传输至所述带状线(6)。2.根据权利要求1所述的一种超宽带高集成低损耗的过渡结构,其特征在于:所述微带线(5)后端设置阻抗匹配(10)。3.根据权利要求1所述的一种超宽带高集成低损耗的过渡结构,其特征在于:所述BGA上部和下部均设置焊盘(11)。4.根据权利要求1所述的一种超宽带高集成低损耗的过渡结构,其特征在于:所述GND(7)内侧设置倒角(12),所述GND(7)为4层接地结构。5.根据权利要求1所述的一种超宽带高集成低损耗的过渡结构,其特征在于:...

【专利技术属性】
技术研发人员:傅显惠刘德喜祝大龙
申请(专利权)人:航天长征火箭技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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