一种基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构制造技术

本发明专利技术提供了一种基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构，属于射频互联技术领域。包括HTCC衬底和PCB母板；HTCC衬底和PCB母板上依次串联有由第一共面波导、第一类同轴、第一带状线、第二类同轴、第二带状线以及第二共面波导形成的传输子结构。本发明专利技术对采用HTCC作衬底材料的SIP，提供一种基于成熟HTCC工艺技术的超宽带毫米波垂直互联结构，该射频垂直互联结构实现了工作频率高、工作频段宽、插入损耗低等优良的电特性，且满足易于加工、可靠性高等特点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构


[0001]本专利技术属于射频互联
，尤其涉及一种基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构。

技术介绍

[0002]在后摩尔时代，先进的半导体芯片技术已接近物理极限，系统级封装(System in Package，SiP)是超越摩尔定律下的重要实现路径。SiP是从封装的立场出发，对不同芯片进行并排或叠加的封装方式，将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如微机电器件或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件。
[0003]SIP一般由衬底、金属围框、封焊盖板和内部电路(由多种器件互联组成)等几部份构成，SIP一般通过衬底底面的焊盘锡焊在PCB母板上使用。高温共烧陶瓷(High Temperature Co
‑
fired Ceramic，HTCC)因其高频电特性优越、可实现多层结构、高杨氏模量(不易变形)、高气密性、在温度变化下维持高刚性等特点，被广泛用作SiP的衬底材料。
[0004]HTCC衬底一般是由钨导体层与陶瓷介质层相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构，其特征在于，包括：由上而下依次设置有HTCC衬底顶层电路、HTCC衬底上介质层、HTCC衬底中间层电路、HTCC衬底下介质层以及HTCC衬底底层电路的HTCC衬底，以及由上而下依次设置有PCB母板顶层电路和PCB母板接地平面的PCB母板；所述HTCC衬底和PCB母板上依次串联有由第一共面波导(1)、第一类同轴(3)、第一带状线(5)、第二类同轴(7)、第二带状线(9)以及第二共面波导(11)形成的传输子结构。2.根据权利要求1所述的基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构，其特征在于，所述第一共面波导(1)和第一类同轴(3)的级联处通过第一高低阻抗匹配子结构(2)进行匹配，所述第一类同轴(3)和第一带状线(5)的级联处通过第二高低阻抗匹配子结构(4)进行匹配，所述第一带状线(5)和第二类同轴(7)的级联处通过第三高低阻抗匹配子结构(6)进行匹配，所述第二类同轴(7)和第二带状线(9)的级联处通过直接匹配子结构(8)进行匹配，所述第二带状线(9)和第二共面波导(11)的级联处通过宽度渐变匹配子结构(10)进行匹配。3.根据权利要求2所述的基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构，其特征在于，所述第一共面波导(1)的中心导体位于所述HTCC衬底顶层电路上；所述第一共面波导(1)的外导体包括：HTCC衬底顶层电路上位于第一共面波导(1)的中心导体两侧的钨导体面、HTCC衬底中间层电路上位于第一共面波导(1)的中心导体下方的钨导体面以及HTCC衬底上介质层上位于第一共面波导(1)的中心导体两侧并连接所述两个钨导体面的垂直钨柱；所述第一类同轴(3)的中心导体为位于HTCC衬底上介质层中坐标为(0，L2+2*L3)的垂直钨柱；所述第一类同轴(3)的外导体包括：HTCC衬底上介质层在Y方向距离第一类同轴(3)的中心导体为
±
L3的4个垂直钨柱；其中，L2表示HTCC衬底屏蔽垂直钨柱Y方向的间距，L3表示第一类同轴(3)屏蔽垂直钨柱与第一类同轴(3)的中心导体Y方向的间距；所述第一高低阻抗匹配子结构(2)位于所述HTCC衬底顶层电路上，所述第一高低阻抗匹配子结构(2)连接所述第一共面波导(1)和所述第一类同轴(3)的中心导体。4.根据权利要求3所述的基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构，其特征在于，所述第一带状线(5)的中心导体位于HTCC衬底中间层电路上；所述第一带状线(5)的外导体包括：HTCC衬底顶层电路上位于第一带状线(5)的中心导体上方的钨导体面、HT...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚剑平，孙科，杨秀强，杨先国，李庆东，李硕友，杨飞，
申请(专利权)人：成都西科微波通讯有限公司，
类型：发明
国别省市：