【技术实现步骤摘要】
一种高精度的半导体芯片修调测试方法
[0001]本专利技术涉及集成电路测试
,具体涉及一种高精度的半导体芯片修调测试方法。
技术介绍
[0002]在对半导体集成电路芯片进行测试时,通常需要通过熔丝修调的方式对其内部参数进行调整,从而使得在测的半导体集成电路芯片的各项参数指标均符合设计要求。
[0003]现有技术中,半导体芯片中包含有各个熔丝,当熔丝熔断时可以对半导体芯片的参数进行调整,并且在半导体芯片中,各个熔丝熔断时所产生的参数变更值通常是按照二进制进行分布的,例如当存在熔丝F1至F8时,则熔断F1至F8所产生的参数变更的修调值分别为1mv至128mv。因此需要对半导体芯片进行熔丝修调时,只需要计算出需要调整参数的理论修调值,并与最低位的基准修调值1mv进行比较,并将比值取整后转换为二进制数,低位对应F1,高位对应F8,哪一位为“1”,就烧哪一位对应的熔丝。
[0004]上述方案中,半导体芯片的熔丝实际变化值与理论值存在偏差,每颗芯片的偏差也不相同,一次性烧断所有需要熔断的熔丝进行修调时产生的修调偏差较大,修调精度低。
技术实现思路
[0005]本申请提供了一种高精度的半导体芯片修调测试方法,提高了半导体芯片的修调精度,该技术方案如下。
[0006]一方面,提供了一种高精度的半导体芯片修调测试方法,所述方法用于半导体芯片修调测试系统中的计算机设备,所述半导体修调测试系统还包括目标半导体芯片,所述方法包括:获取基准修调值;所述基准修调值确定为所述目标半导体芯片的最低位熔丝 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高精度的半导体芯片修调测试方法,其特征在于,所述方法用于半导体芯片修调测试系统中的计算机设备,所述半导体修调测试系统还包括目标半导体芯片,所述方法包括:获取基准修调值;所述基准修调值确定为所述目标半导体芯片的最低位熔丝熔断后,所述目标半导体芯片的参数更新值,或者基准修调值确定为多个目标半导体芯片的多位熔丝熔断后,所述目标半导体芯片的参数更新值的平均值;获取所述目标半导体芯片的第一目标更新值与所述基准修调值的第一比值,并将所述第一比值转换为第一二进制数;向所述目标半导体芯片发送第一导通信号,以熔断所述第一二进制数不为零的最高位的熔丝,并测量所述目标半导体芯片的参数的第一实际更新值;根据所述第一实际更新值以及所述第一二进制数的不为零的最高位所对应的数值,获取第一修调值;获取所述目标半导体芯片的第二目标更新值与所述第一修调值的第二比值,并转换为第二二进制数以控制所述目标半导体芯片的熔丝熔断;所述第二目标更新值为所述第一目标更新值与所述第一实际更新值的差值。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取所述目标半导体芯片的第二目标更新值与所述第一修调值的第二比值,并转换为第二二进制数以控制所述目标半导体芯片的熔丝熔断,包括:将所述目标半导体芯片的第二目标更新值与所述第一修调值的第二比值,转换为第二二进制数;向所述目标半导体芯片发送第二导通信号,以熔断所述第二二进制数不为零的最高位的熔丝,并测量所述目标半导体芯片的参数的第二实际更新值;根据所述第二实际更新值与所述第二二进制数不为零的最高位所对应的数值,获取第二修调值;将第一目标更新值减去第一实际更新值以及第二实际更新值,获得第三目标更新值;将所述目标半导体芯片的第三目标更新值与所述第二修调值的第三比值,转换为第三二进制数,以控制所述目标半导体芯片的熔丝熔断。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述第二实际更新值与所述第二二进制数不为零的最高位所对应的数值,获取第二修调值,包括:将所述第二实际更新值与所述第二二进制数不为零的最高位所对应的数值的比值,确定为所述第二修调值。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述第二实际更新值与所述第二二进制数不为零的最高位所对应的数值,获取第二修调值,包括:将所述第一实际更新值以及所述第二实际更新值之和,与第一二进制数不为零的最高位对应的数值以及第二二进制数不为零的最高位对应的数值之和的比值,确定为所述第二修调值。5.根据权利要求2至4任一所述的方法,其特征在于,将所述目标半导体芯片的第三目标更新值与所述第二修调值的第三比值,转换为第三二进制数,以控制所述目标半导体芯片的熔丝熔断,包括:
将所述目标半导体芯片的第三目标更新值与所述第二修调值的第三比值,转换为第三二进制数;根据所述第三二进制数,迭代控制所述目标半导体芯片的熔丝熔断,直至检测到所述目标半导体芯片满足指定条件;或者,根据所述第三二进制数向所述目标半导体芯片发送第三导通信号,以熔断所述目标半导体芯片中,分别与所述第三二进制数中为1的位所对应的各个熔丝。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述向所述目标半...
【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ七四专利代理机构,
申请(专利权)人:苏州贝克微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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