【技术实现步骤摘要】
光发射器件及光发射模块
[0001]本申请属于通信
,尤其涉及一种光发射器件及光发射模块。
技术介绍
[0002]随着5G技术的发展,数据中心的需求日益增长,COB(Chip On Board,板上芯片)和硅光集成技术的应用越来越广泛。100G、200G、400G数据中心和接入光器件使用多波长光源,耦合难度随着通道数增加而提高。导致光路更复杂耦合工艺难度大,器件尺寸大,成本高。
[0003]目前,传统的自由空间耦合方案则是4路及以上的直接调制光信号通过透镜准直后进入由滤波片和反射单元组成的合波单元,合波后经过透镜耦合进单模光纤输出。而目前PLC方案则是将4路及以上的直接调制激光器首先封装成多个激光模组,通过光纤阵列单元与PLC的合波器多路输入端耦合,经过合波器后再通过光纤阵列单元输出。硅光100G及以上的方案是通过混合集成连续波大功率激光器,光信号进入硅光调制器,然后调制后的信号通过复用合波后通透镜耦合进单模光纤输出,或者直接通过光纤阵列单元输出。
[0004]但是,传统自由空间耦合方案,所需物料多,耦 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光发射器件,其特征在于,包括基板、光发射组件和光合路组件,所述光发射组件和所述光合路组件集成在所述基板上,所述光发射组件上设有第一标识,所述光合路组件上设有第二标识,所述第一标识和所述第二标识位置对应,以使所述光发射组件和所述光合路组件耦合。2.根据权利要求1所述的光发射器件,其特征在于,所述光发射组件包括第一衬底和多个激光器;所述第一衬底上设有多个与所述激光器应对的焊接区域,每个所述焊接区域的边缘侧均设有所述第一标识,每个所述焊接区域上设置有焊料层,每个所述激光器安装在对应所述焊接区域上的焊料层上。3.根据权利要求2所述的光发射器件,其特征在于,所述第一标识通过光刻和刻蚀方法在所述第一衬底上制备而成。4.根据权利要求2所述的光发射器件,其特征在于,所述激光器上设有第三标识,所述第三标识与所述第一标识对应,以使所述激光器安装在对应的焊接区域。5.根据权利要求2所述的光发射器件,其特征在于,所述第一衬底的材质为硅或氮化铝。6.根据权利要求2所述的光发射器件,其特征在于,所述焊料层的厚度为2
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5um,材质为AuSn合金。7.根据权利要求2所述的光发射器件,其特征在于,所述光合路组件包括第二衬底、封装层、合波器、输出波导和多个输入波导;所述合波器、所述输出波导和多个所述输入波导均设...
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