一种减小硅光芯片热串扰的CMOS兼容结构制造技术

本发明专利技术公开了一种减小硅光芯片热串扰的CMOS兼容结构，该结构是基于中性夹杂思想设计的双层圆柱环层，包括设于外层的金属圆柱环层和设于内层的空气圆柱环层。本发明专利技术采用各向同性以及CMOS兼容的材料，在CMOS标准工艺下可以降低硅光芯片之间的热串扰，保护温度敏感器件，为系统的片上集成化提供了可行性。为系统的片上集成化提供了可行性。为系统的片上集成化提供了可行性。

【技术实现步骤摘要】
一种减小硅光芯片热串扰的CMOS兼容结构


[0001]本专利技术属于硅基光电子集成系统领域，具体涉及一种减小硅光芯片热串扰的CMOS兼容结构。

技术介绍

[0002]近年来，微电子学一直是现代信息社会发展的驱动力。但是微电子芯片的微缩周期因受到物理、技术、经济各方面的限制而逐渐变慢，摩尔定律面临失效。然而，现代社会对信息高速处理的需求却并未因微电子技术的滞后而降低，信息拥堵问题成为最先凸显出的矛盾。
[0003]光子作为信息传递的载体，相比电子，具有稳定可控的调制和复用维度，如振幅、相位、波长、偏振态、模式等，具有更大的带宽、更高的频谱利用率和通信容量。它的优势来源于成熟微电子技术和宽带光电子技术在微纳范畴内的有机结合。其应用也从最初的微电子扩展到通信、计算、传感、人工智能，乃至消费领域。在以大数据为基础的现代信息社会，硅基光电子已经成为最具潜力的高效率、低成本片上解决方案。
[0004]在硅基光电子芯片上，可集成信息吞吐所需的各种光子、电子、光电子器件，包括光波导、调制器、探测器和晶体管集成电路等。然而硅的热光系数，比氮化硅、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减小硅光芯片热串扰的CMOS兼容结构，其特征在于：包括设于外层的金属圆柱环层(1)和设于内层的空气圆柱环层(2)；所述金属圆柱环层(1)和空气圆柱环层(2)的深度是从包层顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁楠楠，余辉，王肖飞，杨建义，王曰海，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：