具有MIS脉冲保护器的RC半导体集成化电路制造技术

一种具有ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）脉冲保护器的ＲＣ半导体集成化电路装置，采用ＭＩＳ脉冲保护器保护电容。其优点是制造简单，且ＭＩＳ脉冲保护器可以吸收更高的能量，以更有效地保护电路元件。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种将电阻、电容MIS脉冲保护器集成于一半导体基板上，由此MIS脉冲保护器提供对电容的保护的半导体装置。传统的具有保护元件的RC电路通常由分离元件(discreteelement)所构成，其缺点为生产成本高、电路布局面积大、测试时需要另外连线。且由于元件间的空隙大而影响其操作速度。随着半导体集成电路的发展，目前的趋势是将具有保护元件的RC电路集成化，以克服上述的缺点。美国专利号5355014中揭示了一个相关的已知技术，其专利技术名称为“Semiconductor Device with Integrated RC Network andSchottky Diode”。附图说明图1表示其电路，其中数码31、32、33分别为肖特基二极管(Schottky diode)、电阻及电容，且电阻和电容串联，然后再与肖特基二极管并联。消特基二极管31的阴极连接于输入端及电阻32的第一端，其阳极接地；电容33的第一端连接于电阻32的第二端，其第二端接地。此电路采用肖特基二极管来保护电容和电阻，以提供排放大电流的路径，从而抑制脉冲或静电放电(ESD)对于RC电路所造成的损坏。图2为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有ＭＩＳ脉冲保护器的ＲＣ半导体集成化电路，包括：一电阻，其第一端连接于输入端；一电容，其第一端作为输出端，连接于所述电阻的第二端，其第二端接地；以及一个或数个ＭＩＳ并联所形成的脉冲保护器，此脉冲保护器并联于所述电容，用于保 护所述电容，其特征在于：此电路采用半导体技术制成，在半导体基座上分别形成：一电阻区域；一电容区域，包含介质层及上／下电极区域；一ＭＩＳ结构，包含隔离层、半导体层与金属导电区域，提供脉冲保护；一输入／输出电极连接区；及 所述电阻区域、所述电容区域与所述ＭＩＳ结构之间的配线。

【技术特征摘要】
1.一种具有MIS脉冲保护器的RC半导体集成化电路，包括一电阻，其第一端连接于输入端；一电容，其第一端作为输出端，连接于所述电阻的第二端，其第二端接地；以及一个或数个MIS并联所形成的脉冲保护器，此脉冲保护器并联于所述电容，用于保护所述电容，其特征在于此电路采用半导体技术制成，在半导体基座上分别形成一电阻区域；一电容区域，包含介质层及上/下电极区域；一MIS结构，包含隔离层、半导体层与金属导电区域，提供脉冲保护；一输入/输出电极连接区；及所述电阻区域、所述电容区域与所述MIS结构之间的配线。2.根据权利要求1所述的具有MIS脉冲保护器的RC半导体集成化电路，其特征在于，由以下步骤制成；形成一基座；被覆一绝缘薄膜于所述基座的整个表面上，藉由光刻和选择性蚀刻，形成一绝缘层于所述基板表面上的对应电阻及输入/输出电极的区域，用以避免所述电阻及所述输入/输出电极连接区域与上述基板导通；形成一介质于整个表面上且覆盖上述绝缘层，用以作为所述电容的介质材料；藉由光刻和选择性蚀刻，形成所述MIS区域；被覆一薄的隔离层于整个表面上且覆盖于上述介质层之上，用以作为所述MIS结构的隔离薄膜；被覆一电阻层于整个表面上且覆盖于上述隔离之上，用以形成电阻层；被覆一扩散阻档层于整个表面上且覆盖上述电阻层之上，以防止此电阻层和第一导电层相互作用；被覆第一导电层于整个表面上且覆盖上述扩散阻档层之上；藉由光刻和选...

【专利技术属性】
技术研发人员：林珮芬，陈俊杰，
申请(专利权)人：光颉科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]