【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于图象读取系统如数字照相机、图象扫描仪、传真机、复印机等中的图象传感器的光接收元件，以及一种具有该光接收元件的光电转换装置，特别涉及一种适用于比如密接型图象传感器之光电转换装置的光接收元件的结构，其中设有相对较大的光接收元件，其象素开口部分的尺寸为数十微米以上。近年来，CCD图象传感器、诸如CMOS图象传感器等的非CCD图象传感器作为光电转换装置取得了积极的进展。一般地，这些光电转换装置的光接收元件都采用具有半导体PN结的光电二极管。现有技术(1)例如日本专利申请公开No.55-154784中所公开的，提出了一种光接收元件的结构，其中未形成PN结的基片表面具有一个与基片导电型相同而杂质浓度比芯片更大的区域。从而降低了基片表面产生的暗电流。图29A和29B表示传统光接收元件的结构。标号201表示n型半导体基片；202p型半导体层；203n型半导体层，其杂质浓度为5×1015cm-3至10×1015cm-3，厚度为0.2μm至0.3μm；205热氧化膜；208n+通道隔离区；209含有氮化物的抗反射镀膜；215和216铝电极；228n+型半导...
【技术保护点】
一种光接收元件，包括： 第一导电型的第一半导体区； 第二导电型的第二半导体区，设在所述第一半导体区上； 第一导电型的第三半导体区，设在所述第二半导体区与一隔离膜之间； 第二导电型电极区，设在所述第二半导体区中的其上面没有第三半导体区的位置上，并且与由导体制成的阳极或阴极电极相连。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1999-2-25 049062/1999;JP 1999-2-25 049063/1999;1.一种光接收元件，包括第一导电型的第一半导体区；第二导电型的第二半导体区，设在所述第一半导体区上；第一导电型的第三半导体区，设在所述第二半导体区与一隔离膜之间；第二导电型电极区，设在所述第二半导体区中的其上面没有第三半导体区的位置上，并且与由导体制成的阳极或阴极电极相连。2.如权利要求1所述的光接收元件，其中所述电极区设置成浮置状态以积聚光生电荷；并且向所述第一半导体区施加偏置电压以便在第一半导体区与第二半导体区之间施加反向偏压。3.如权利要求1所述的光接收元件，其中设在第三半导体区之下的第二半导体区被完全耗尽。4.如权利要求1所述的光接收元件，其中所述电极区由阳极或阴极电极加以遮光。5.如权利要求1所述的光接收元件，其中在所述电极区与第二半导体区之间形成有电势梯度，用以将所述光生电荷移向所述电极区。6.如权利要求1所述的光接收元件，其中在第三半导体区与第二半导体区之间以及在第一半导体区与第二半导体区之间形成有电势梯度，用以将所述光生电荷移向所述第二半导体区。7.如权利要求1所述的光接收元件，其中所述阳极或阴极电极连接至一读取电路的晶体管的门极。8.如权利要求1所述的光接收元件，其中所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型。9.如权利要求1所述的光接收元件，其中所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型。10.如权利要求1所述的光接收元件，其中在所述第二半导体区内部形成为第二导电型的一个内区，该内区的杂质浓度高于第二半导体区的杂质浓度而低于电极区的杂质浓度。11.如权利要求10所述的光接收元件，其中所述内区包括多个部分，这些部分的杂质浓度互不相同。12.如权利要求10所述的光接收元件，其中所述内区构造成包含电极区。13.如权利要求10所述的光接收元件，其中所述内区构造成不均匀地分布在形成于遮光膜上的开口部分中。14.如权利要求10所述的光接收元件，其中所述内区含有一个其宽度随着内区远离电极区而减小的区域。15.如权利要求14所述的光接收元件，其中所述宽度减小的区域的各个角部为钝角。16.如权利要求10所述的光接收元件，其中所述内区从不均匀分布在形成于所述遮光膜上的开口部中的电极区延伸至所述开口部分中心之上。17.如权利要求10所述的光接收元件，其中所述内区形成在比第二半导体区浅的位置。18.如权利要求1所述的光接收元件，其中所述第二半导体区构造成与用于元件隔离的隔离膜相隔开。19.如权利要求1所述的光接收元件，其中所述第三半导体区构造成与所述电极区相隔开。20.如权利要求1所述的光接收元件，其中所述第三半导体区构造成包含所述电极区。21.如权利要求1所述的光接收元件，其中所述第二半导体区的各个角为钝...
【专利技术属性】
技术研发人员：小冢开，小泉彻，泽田幸司，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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