一种提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，包括位于真空腔室内的用于装配靶材的溅射靶座，用于向真空腔室内通入溅射工艺气体的布气组件，溅射靶座上设置有磁控主体，磁控主体包括磁体安装座和磁体安装座上安装的磁条组件，磁条组件包括长条形的A磁条单元和B磁条单元，A、B磁条单元的长度方向相同，记A磁条单元的长度方向为a1方向，A、B磁条单元沿着a2方向间隔交错设置，a1、a2方向相垂直布置，沿a2方向的始、末端均为A磁条单元且始、末端的两A磁条单元通过两C磁条单元相连接，A磁条单元由N极磁铁组成，B磁条单元由S极磁铁组成，C磁条单元由N极磁铁组成。将磁控主体设置成由各个磁条单元组成，各磁条单元形成多路磁场，极大提高了靶材的利用率，靶材的利用率可达40%以上。用率可达40%以上。用率可达40%以上。

【技术实现步骤摘要】
一种提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置


[0001]本技术涉及溅射镀膜设备领域，具体涉及一种提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置。

技术介绍

[0002]相比传统电镀化学镀的湿法镀膜，真空镀膜技术采用干式镀膜，在镀膜过程中基本为“零污染”，近年来已广泛应用在刀具、模具、汽车、航空航天、医疗、3C消费电子及军工等各个领域。真空镀膜技术一般分为物理气相沉积和化学气相沉积技术，其中物理气相沉积又可细分为磁控溅射、蒸发镀、离子镀等。
[0003]相比离子镀技术而言，磁控溅射技术制备的膜层晶粒更加细小、表面粗糙度低、镀膜过程更加稳定。它的原理是：真空腔室抽真空后，向其中充入Ar或Xe等惰性气体，磁控靶和工件上加载负电压，电子撞击惰性气体分子使其电离，在真空腔室内产生辉光放电产生等离子体，由于金属靶材带负电，等离子体中带正电的气体离子被加速，并以相当于靶极位的能量撞击靶面，将金属靶的原子轰出来，使之沉淀在基片表面上形成金属膜层，工件上的负偏压可以使膜层排列更加致密。
[0004]目前真空镀膜设备在实际使用时还存在诸多问题，如磁控溅射镀膜源装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：包括位于真空腔室内的用于装配靶材的溅射靶座，用于向真空腔室内通入溅射工艺气体的布气组件，溅射靶座上设置有磁控主体，磁控主体包括磁体安装座和磁体安装座上安装的磁条组件，磁条组件包括长条形的A磁条单元和B磁条单元，A、B磁条单元的长度方向相同，记A磁条单元的长度方向为a1方向，A、B磁条单元沿着a2方向间隔交错设置，a1、a2方向相垂直布置，沿a2方向的始、末端均为A磁条单元且始、末端的两A磁条单元通过两C磁条单元相连接，A磁条单元由N极磁铁组成，B磁条单元由S极磁铁组成，C磁条单元由N极磁铁组成。2.根据权利要求1所述的提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：A磁条单元设置有4个，B磁条单元设置有3个。3.根据权利要求1所述的提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：磁体安装座上设置有安装槽，A、B、C磁条单元分别可拆卸式装配在安装槽内。4.根据权利要求1所述的提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：还包括冷却机构。5.根据权利要求1所述的提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：溅射靶座由槽型件组成，槽型件包括构成槽底的绝缘板...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏正卫，张心凤，范宏跃，
申请(专利权)人：安徽纯源镀膜科技有限公司，
类型：新型
国别省市：