【技术实现步骤摘要】
动态控制溅射靶材利用率的控制装置和控制方法
[0001]本专利技术涉及磁控溅射镀膜
，具体为动态控制溅射靶材利用率的控制装置和控制方法。
技术介绍
[0002]磁控溅射镀膜是一种新型的物理气相镀膜方式,就是用电极板系统把电子发射并聚焦在被镀的材料上，使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜。这种被镀的材料就叫溅射靶材，溅射是制备薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。各种类型的溅射薄膜材料无论在半导体集成电路、记录介质、平面显示以及工件表面涂层等方面都得到了广泛的应用。制程反应室内部的高温与高真空环境，可使这些金属原子结成晶粒，再透过微影图案化与蚀刻，最终一层层金属导线，而芯片的数据传输全靠这些金属导线。
[0003]现有的溅射靶材利用率的控制装置的测量方式复杂，影响工作效率，无法实现...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.动态控制溅射靶材利用率的控制装置，包括靶材溅射工作台（1），其特征在于：所述靶材溅射工作台（1）的上端面安装有固定座（7），所述固定座（7）的两端上方均安装有升降防护板（9），且所述固定座（7）的前端面和后端面均安装有活动防护板（8），所述靶材溅射工作台（1）的上方安装有密封罩体（2），所述密封罩体（2）的上方安装有电气箱（5），所述电气箱（5）的下端安装有磁场发生器（14），所述磁场发生器（14）的两侧均安装有电极板（15），所述靶材溅射工作台（1）的上方两侧均安装有内固定箱（20），所述内固定箱（20）的内部安装有减速电机（27），所述内固定箱（20）的上方安装有靶材基座（10），所述靶材基座（10）的两侧均安装有溅射靶材主体（11），所述靶材基座（10）与溅射靶材主体（11）之间设置有靶材检测板（25），两个所述溅射靶材主体（11）的一端均延伸至靶材基座（10）内部与靶材检测板（25）滑动连接，且所述靶材基座（10）的内部中间安装有定位板（21），所述定位板（21）的内部安装有移动块（22），所述移动块（22）的两侧均安装有电动马达，且电动马达的一端安装有螺纹杆（24），所述螺纹杆（24）穿过定位板（21）延伸至溅射靶材主体（11）内部与溅射靶材主体（11）螺纹连接，所述升降防护板（9）和活动防护板（8）的内部均安装有内检测面板（32），所述内检测面板（32）的内部安装有放大摄像头（33）。2.根据权利要求1所述的动态控制溅射靶材利用率的控制装置，其特征在于：所述密封罩体（2）的两侧均安装有连接架（4），所述连接架（4）的下端安装有电动缸（3），所述电动缸（3）的下端与靶材溅射工作台（1）固定连接，且所述电动缸（3）的上端与连接架（4）固定连接，所述密封罩体（2）的下端嵌入靶材溅射工作台（1）上端与靶材溅射工作台（1）密封连接，所述固定座（7）的下端面安装有防护罩（16），所述防护罩（16）的内部安装有真空泵（17），所述真空泵（17）的上端安装有连接管（19），所述连接管（19）的上端安装有原子吸收板（18），所述原子吸收板（18）与固定座（7）的上端面密封连接，所述防护罩（16）的下端安装有抽气管道（13），所述抽气管道（13）与原子吸收板（18）连通。3.根据权利要求1所述的动态控制溅射靶材利用率的控制装置，其特征在于：所述电气箱（5）与密封罩体（2）固定连接，且所述电气箱（5）的外表面安装有显示屏（6），所述电气箱（5）的内部安装有变压器（29）和无线传输模块（30），所述变压器（29）和无线传输模块（30）均与磁场发生器（14）电性连接，所述磁场发生器（14）的内部安装有调节开关（31），所述调节开关（31）与电极板（15）电性连接。4.根据权利要求1所述的动态控制溅射靶材利用率的控制装置，其特征在于：所述活动防护板（8）与固定座（7）之间安装有转轴，且所述固定座（7）的内部安装有驱动电机，且驱动电机与转轴通过...
【专利技术属性】
技术研发人员：范玉山，张梓江，
申请(专利权)人：苏州德耐纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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