发光二极管及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种发光二极管及其制作方法、显示装置，发光二极管包括衬底、设置在衬底一侧的外延层、以及设置在外延层远离衬底一侧的反射结构层，反射结构层包括第一反射层和第二反射层，第一反射层覆盖外延层，第二反射层设置在第一反射层远离衬底的一侧且覆盖第一反射层；第一反射层设有多个间隔设置且贯穿第一反射层的金属结构，金属结构用于反射外延层发出的光线。通过在第一反射层中设置多个金属结构，第一反射层、第二反射层和多个金属结构结合形成的反射结构层对于不同角度的入射光均有较好的反射效果，和只采用第一反射层、第二反射层或只采用银镜结构作为反射结构层的方式相比，提高了发光二极管的发光效率。提高了发光二极管的发光效率。提高了发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制作方法、显示装置


[0001]本申请涉及半导体器件
，具体而言，本申请涉及一种发光二极管及其制作方法、显示装置。

技术介绍

[0002]近年来，氮化镓基发光二极管(GaNLED)凭借其寿命长、可靠性高、体积小、功耗低和响应速度快等诸多优点，被广泛应用于固态照明、图像显示和光学通信等领域。倒装型LED由于不需要焊线工艺，荧光粉涂布均匀，且在大电流驱动下的亮度和可靠性好，更是凭借自身优势广泛涉猎于各个领域。
[0003]然而，现有的倒装型LED存在着反射率较低，发光效率较低的问题。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种发光二极管及其制作方法、显示装置，用以解决现有技术中的倒装型LED存在的反射率较低，发光效率较低的问题。
[0005]第一个方面，本申请实施例提供了一种发光二极管，包括：
[0006]衬底；
[0007]外延层，设置在所述衬底的一侧，包括依次层叠设置的第一接触层、量子阱层、以及第二接触层；
[0008]反射结构层，包括第一反射层和第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；外延层，设置在所述衬底的一侧，包括依次层叠设置的第一接触层、量子阱层、以及第二接触层；反射结构层，包括第一反射层和第二反射层，所述第一反射层设置在所述外延层远离所述衬底的一侧且覆盖所述外延层，所述第二反射层设置在所述第一反射层远离所述衬底的一侧且覆盖所述第一反射层；所述第一反射层设有多个间隔设置且贯穿所述第一反射层的金属结构，所述金属结构在所述衬底上的正投影与所述量子阱层在所述衬底上的正投影交叠，所述金属结构用于反射所述外延层发出的光线。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层还包括设置在所述第二接触层和所述反射结构层之间的透明电极层，所述透明电极层在所述衬底上的正投影与所述第二接触层在所述衬底上的正投影重叠，所述金属结构与所述透明电极层连接。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，相邻两所述金属结构之间的间隔相同；所述金属结构的材料包括银。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，还包括设置在所述外延层远离所述衬底一侧的第一电极和第二电极；所述第一电极贯穿所述第一反射层且在所述衬底上的正投影与所述量子阱层在所述衬底上的正投影交叠，所述第一电极与所述透明电极层连接；所述第二电极贯穿所述第一反射层且在所述衬底上的正投影与所述量子阱层在所述衬底上的正投影无交叠，所述第二电极与所述第一接触层连接。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极、所述第二电极和所述金属结构同层设置；所述第一电极包括多个间隔设置的第一子电极，所述第一子电极的尺寸与所述金属结构的尺寸相同；所述第二电极包括多个间隔设置的第二子电极，所述第二子电极的尺寸与所述金属结构的尺寸相同。6.根据权利要求4或5所述的发光二极管，其特征在于，还包括设置在所述第二反射层远离所述衬底一侧的第一焊盘和第二焊盘；所述第一焊盘通过贯穿所述第二反射层的第一过孔与所述第一电极连接；所述第二焊盘通过贯穿所述第二反射层的第二过孔与所述第二电极连接。7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至6中任意一项所述的发光二极管。8.一种发光二极管的制作方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玮，张方振，周婷婷，牛亚男，牛菁，孙双，任锦宇，陈婉芝，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：