一种集成MEMS热电堆红外探测器芯片以及芯片制作方法技术

本申请涉及一种集成MEMS热电堆红外探测器芯片，包括彼此电气键合的第一芯片和第二芯片；其中所述第一芯片为微机电系统红外热电堆传感器芯片，所述第二芯片为集成电路芯片；位于所述第一芯片上的第一电气键合点与位于所述第二芯片上的第二电气键合点彼此键合形成电连接；位于所述第一芯片上的第一封装环和位于所述第二芯片上的第二封装环彼此键合而形成空腔；以及所述第一芯片包括红外热电堆，并且至少部分所述红外热电堆在所述第一芯片表面的投影位于所述空腔内。本申请还涉及一种集成MEMS热电堆红外探测器芯片的制作方法。成MEMS热电堆红外探测器芯片的制作方法。成MEMS热电堆红外探测器芯片的制作方法。

【技术实现步骤摘要】
一种集成MEMS热电堆红外探测器芯片以及芯片制作方法


[0001]本申请涉及一种MEMS(微机电系统)
，特别地涉及一种集成MEMS热电堆红外探测器芯片以及芯片制作方法。

技术介绍

[0002]随着近年来技术的飞速发展，微机电技术通过采用先进的半导体制造工艺，实现微机电系统器件的批量制造，成为了一种主流的高新技术。此外，和传统制造技术相比，微机电技术制备的器件在体积、功耗、价格及重量等方面都有着显著的优势，因此采用先进的微机电系统制作器件是未来技术发展的主要方向。
[0003]微机电系统器件一般包括至少一种敏感的活动部件，因此在制造过程中需要利用封装等技术对敏感部件进行保护。此外，微机电系统器件中除了敏感部件，还要与集成电路电连接以形成一个完整的系统。因此在制作工艺中，如何实现系统的集成化是个重要的问题。目前常见的集成方案包括将独立的微机电器件和集成电路封装在同一管壳内进行多芯片集成化，但在封装过程中，多芯片集成化封装需要先将独立的微机电器件和集成电路芯片相邻安装在同一基板上，再通过引线将两部分电连接，最后用管壳封装完成集成。两个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成MEMS热电堆红外探测器芯片，包括：彼此电气键合的第一芯片和第二芯片；其中所述第一芯片为微机电系统红外热电堆传感器芯片，所述第二芯片为集成电路芯片；位于所述第一芯片上的第一电气键合点与位于所述第二芯片上的第二电气键合点彼此键合形成电连接；位于所述第一芯片上的第一封装环和位于所述第二芯片上的第二封装环彼此键合而形成空腔；以及所述第一芯片包括红外热电堆，并且至少部分所述红外热电堆在所述第一芯片表面的投影位于所述空腔内。2.如权利要求1所述的集成MEMS热电堆红外探测器芯片，其中所述空腔为密闭空腔。3.如权利要求1或2所述的集成MEMS热电堆红外探测器芯片，其中所述第一电气键合点比所述第一封装环更靠近所述红外热电堆。4.如权利要求1所述的集成MEMS热电堆红外探测器芯片，其中所述第一芯片的第一表面上形成有光学系统，所述第一芯片的第一表面为远离所述第一电气键合点的表面。5.如权利要求4所述的集成MEMS热电堆红外探测器芯片，其中所述光学系统包括，在所述第一芯片的第一表面上形成的光栅。6.如权利要求4所述的集成MEMS热电堆红外探测器芯片，其中所述光学系统包括，经刻蚀所述第一芯片衬底形成的位于所述第一芯片第一表面的光栅。7.如权利要求4所述的集成MEMS热电堆红外探测器芯片，其中所述光学系统包括，形成于所述第一芯片第一表面上的镜片。8.如权利要求1所述的集成MEMS热电堆红外探测器芯片，其中所述第二芯片包括衬底和集成电路结构，所述集成电路结构的一端通过所述第二电气键合点与所述第一芯片电连接，所述集成电路结构的另一端通过贯穿所述衬底的导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李萍萍，胡维，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：