【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】印刷电路板制造方法以及根据该方法制造的印刷电路板
[0001]下文所描述的本专利技术涉及制造印刷电路板的方法以及根据该方法制造的印刷电路板。
[0002]印刷电路板(英语:printed circuit board; 简称:PCB)充当用于电子部件的载体并确保其电接触。几乎每个电子设备都含有一个或多个印刷电路板。
[0003]印刷电路板总是包含基底基板,基底基板是非导电形成的并且其在至少一个基板侧上具有导体轨道结构(简称:导体结构)用于电子部件的电接触。通常,用于印刷电路板的基底基板由纤维增强塑料、塑料膜或硬纸组成。导体轨道通常由诸如铜的金属构成。
[0004]在最简单的情况下,基底基板的仅一侧具有导体结构。然而,对于更复杂的电路常常需要多于一个的导体轨道平面;那么需要多层印刷电路板(英语:multilayer board,简称MLB)。在这些情况下,例如,载体层的两侧可具有导体结构,或者具有各一个导体轨道平面的多个基底基板组合成MLB。特别地,两侧具有导体结构的基底基板也可形成多层构造的基础。不同导体轨道平面的导体轨道可通过金属化通孔(英语:Via)彼此电连接。为此,例如可将孔钻至基底基板中且可将钻孔壁金属化。
[0005]在基底基板上形成导体结构通常在多阶段光刻工艺中使用光刻胶(英语:photoresist,简称:光致抗蚀剂)减材进行,该光刻胶在显影剂溶液中的溶解度借助于辐射,特别是借助于UV辐射来影响。在常规程序中,将金属层形成于基底基板上并覆盖有光刻胶层。例如,可将光刻胶层层压在金属层上。然后,在曝光步骤中使光 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.用于制造具有金属导体结构的多层印刷电路板的方法,其具有以下步骤:a.提供形成为膜或板的具有第一基板侧(101a)和第二基板侧的基底基板(101),该基底基板(101)至少部分地由非导电有机聚合物材料构成,并且其中第一基板侧(101a)覆盖有覆盖金属层(102),b.部分地去除该覆盖金属层(102),将第一基板侧(101a)分成至少一个第一局部区域(104)和至少一个第二局部区域(105),在该至少一个第一局部区域(104)中第一基板侧(101a)没有所述覆盖金属层(102),在该至少一个第二局部区域(105)中第一基板侧(101a)覆盖有所述覆盖金属层(102),c.使等离子体作用于第一基板侧(101a),借助于等离子体,在该至少一个第一局部区域(104)中剥除所述聚合物材料,形成至少一个凹槽(106),d.用填充金属(108)填充所述至少一个凹槽(106),以及e.完全去除该至少一个第二局部区域(105)中的所述覆盖金属层(102),形成第一导体结构(109)或第一导体结构的一部分,f.任选地用已被填充的至少一个凹槽(106)平坦化第一基板侧(101a),g.用绝缘层(110)覆盖该第一导体结构(109),该绝缘层(110)与基底基板(101)结合具有与第一导体结构(109)直接接触的底侧和背离第一导体结构(109)的顶侧(110a),且该绝缘层(110)至少部分地由非导电有机聚合物材料构成,h.如果尚未存在,则在绝缘层(110)的顶侧(110a)上形成覆盖金属层(111),i.部分地去除覆盖金属层(111),将顶侧(110a)分成至少一个第一局部区域(113)和至少一个第二局部区域(114),在该至少一个第一局部区域(113)中顶侧(110a)没有所述覆盖金属层(111),在该至少一个第二局部区域(114)中顶侧(110a)覆盖有所述覆盖金属层(111),j.使等离子体作用于顶侧(110a),借助于等离子体,在所述至少一个第一局部区域(113)中剥除所述聚合物材料,形成至少一个凹槽(115),k.用填充金属(118)填充所述至少一个凹槽(115),以及l.完全去除该至少一个第二局部区域(114)中的覆盖金属层(111),形成第二导体结构(119)或第二导体结构(119)的一部分。2.根据权利要求1所述的方法,其具有以下的额外步骤和/或特征中的至少之一:a.基底基板(101)和/或绝缘层(110)的厚度为10
µ
m至3mm,b.所述有机聚合物材料选自聚酰亚胺、聚酰胺、特氟龙、聚酯、聚苯硫醚、聚甲醛和聚醚酮。3.根据权利要求1所述的方法,其具有以下的额外步骤和/或特征中的至少之一:a.基底基板(101)和/或绝缘层(110)包含填料,尤其是介电填料,b.基底基板(101)和/或绝缘层(110)是由非导电有机聚合物材料构成的塑料膜,并包含根据特征a.的填料,c.填料的平均粒径(d50)<1
µ
m。4.根据权利要求1或根据权利要求2所述的方法,其具有以下的额外步骤和/或特征中的至少之一:a.选择由铜构成或由铜合金构成的层作为覆盖金属层(102)和/或作为覆盖金属层
(111),b.该覆盖金属层(102)和/或覆盖金属层(111)的厚度为10nm至10
µ
m,c.为了提供基底基板(101),借助于物理或化学气相沉积在第一基板侧上形成覆盖金属层(102),和/或借助于物理或化学气相沉积在绝缘层(110)的顶侧(110a)上形成覆盖金属层(111),d.通过溅射在第一基板侧(101a)上形成覆盖金属层(102),和/或通过溅射在顶侧(110a)上形成覆盖金属层(111),e.通过湿化学涂布工艺形成覆盖金属层(102)和/或覆盖金属层(111)。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其具有以下的额外步骤和/或特征之一:a.使用掩蔽
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和湿化学蚀刻步骤部分地去除第一基板侧(101a)上的覆盖金属层(102)和/或部分地去除顶侧(110a)上的覆盖金属层(111),b.借助于激光部分地去除第一基板侧(101a)上的覆盖金属层(102)和/或部分地去除顶侧(110a)上的覆盖金属层(111)。6.根据前述权...
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