【技术实现步骤摘要】
一种超小型片式多层瓷介电容
[0001]本技术涉及片式多层瓷介电容
，具体为一种超小型片式多层瓷介电容。
技术介绍
[0002]片式多层瓷介电容器简称片式电容器，是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体。
[0003]现在的片式多层瓷介电容在使用时，其外表面设置的陶瓷层起到绝缘效果，防止出现漏电，但是片式多层瓷介电容外表面的陶瓷层在生产中出现细小裂缝后，其裂缝极易导致漏电，从而使片式多层瓷介电容出现局部发热的现象，严重时出现陶瓷层开裂、爆炸后果。
[0004]针对上述问题。为此，提出一种超小型片式多层瓷介电容。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种超小型片式多层瓷介电容，当电容内腔设置的陶瓷层出现裂缝时，电容会在裂缝处漏电，漏电导致局部出现发热，热量使陶瓷层上端设置的橡胶层出现软化，从而使橡胶层填充其中的裂缝，起到防漏电的效果，从而解决了上述
技术介绍
中的问题。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超小型片式多层瓷介电容，包括电容(1)和电容(1)两端设置的端头(2)，其特征在于：所述电容(1)包括外壳(16)，外壳(16)内腔设置有陶瓷层(14)，陶瓷层(14)内腔设置有电极(15)，陶瓷层(14)上端与外壳(16)底面之间填充有橡胶层(13)。2.根据权利要求1所述的一种超小型片式多层瓷介电容，其特征在于：所述外壳(16)上下两端设置有多组散热片(11)。3.根据权利要求2所述的一种超小型片式多层瓷介电容，其特征在于：所述相邻散热片(11)之间设置有支撑连杆(12)。4.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭锋，曾小琴，
申请(专利权)人：深圳市华宇天诚科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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