晶片机械加工粘结带及其制造和使用方法技术

一种具有在基底层一面形成的粘结层的粘结带，当其所粘附的硅质晶片用切割机切成电路片时，利用其可以降低晶片上产生的豁口、凹痕或裂缝的尺寸。粘结带的粘结层的储存系数Ｇ″在１５－３５℃等于或大于１ＭＰａ，表示损失系数Ｇ″与储存系数Ｇ’之比的ｔａｎδ优选为小于或等于０．０５。粘结层优选为基本由石蜡聚合物构成。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶片机械加工粘结带或一种晶片处理粘结带，一种制造及使用该粘结带的方法。更详细地，本专利技术涉及一种晶片处理粘结带主要用于在半导体的制造过程中，在将晶片切割成电路片的操作过程中，把晶片牢牢地固定在一个地方，以及制造和使用该粘结带的方法。对于这些晶片处理粘结带，利用了紫外线辐射固化型或电子束固化型的粘结带，这种粘结带和压敏粘结带一样能够调整粘结度。任意一种粘结带的使用，在将晶片切割成电路片的操作过程中，可能会引起豁口、凹痕或产生裂缝的问题。在粘结带具有压合型、紫外线辐射固化型或电子束固化型的粘结层的情况下，切割时粘结剂或基底所产生的粉尘经常粘到电路片的表面。这些粉尘可能造成电路片的电路的侵蚀或者造成电路片和树脂铸型之间粘结的破坏从而造成电路片次品。然而，具有压合型、紫外线辐射固化型或电子束固化型的粘结层的晶片处理粘结带引起了一些问题，其使用寿命由于其粗劣的制造相位稳定性和耐储存性而变短，这些问题迫使有良好的工作车间环境、运输和储存条件。利用这些种类的晶片处理粘结带，一旦进程的粘结层由于制造条件或储存条件中的一些不稳定的因素破坏了，由于晶片处理粘结带的质量产生大量的电路片残次品。此外，关于制造压合型、紫外线辐射固化型或电子束固化型的晶片处理粘结带的方法，一般经验是应用一种在基底上的溶剂中溶解的粘结制剂，这种基底以前就已制备，经过了表面处理，并且使溶剂蒸发。所述的方法由于在应用制剂时使用了有机溶剂和蒸发溶剂的大量能量消耗，给环境生态方面增加了负担，更有甚者，要付出很高的代价。另一方面，一种公知方法可以防止晶片在处理操作中豁口、缺口(以后称凹痕)或产生裂缝，这种方法利用蜡将晶片牢牢固定在一个位置并将其切割成电路片。然而，这种方法的产率非常低，因此，在半导体工业中，一般不用来处理那些其上已经形成的电路图的晶片，当然当处理易碎晶片或晶片表面需要作高精度处理时例外。作为一种用于阻止由于凹痕或裂缝的扩散造成的电路片破损，日本特开平专利申请号1993-335411公开了一种制造半导体电路片的方法，这种方法包括从晶片的前边切开一定深度的切口之后将晶片背面磨平。日本特开平专利申请号2000-68237公开了一种具有一种粘结层的薄膜的应用，该粘结层，在40℃下具有1.0×105Pa的粘结强度系数，这种薄膜用作表面保护膜，被利用在将晶片切割成各个电路片中，这种电路片在已经在晶片已形成电路图案的前边形成了比晶片厚度浅的切口之后，通过磨平晶片的背部而成。但是，这些方法并没有讲清楚在磨平操作中在电路片中所产生的凹痕或裂缝尺寸的情况。日本特开平专利申请号1998-242086公开了一种固定膜，该固定膜备有一种在0-10℃范围内具有3×106到1×1010达因/平方厘米储存系数的粘结层。抑制凹痕和裂缝发展的效果仅仅在非常适度的条件下值得评估，在切割操作中造成75μm或小于75μm的凹痕和裂缝的集成电路片才是可接受等级。明显地，没有这样的晶片粘结带能够在晶片处理过程中能将发展的凹痕和裂缝降低到蜡固定方法相当的水平。日本特开平专利申请号1991-39524公开了一种在25℃下具有3×107到5×109达因/平方厘米动力系数E’和tanδ为0.4或大于0.4损失系数的特殊α-石蜡共聚合物，虽然没有关于晶片处理粘结带的特殊用途的说明，但其宣称当所述共聚合物和金属层压时，论证了振动阻尼特性。然而，日本特开平专利申请号1995-23354，1998-298514，1999-43655，1999-21519和1999-106716虽然没有说明在晶片处理粘结带上对于其在服务期内的特征附加严格的要求，但在他们的粘结层中每个都公开了含有特殊α-石蜡共聚合物的表面保护膜。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够在晶片切割成电路片的过程中降低凹痕和裂缝的尺寸并抑制其进一步的发展。本专利技术的进一步目的在于提供一种不需要利用任何特殊的设备就能够降低电路片的污染物的晶片处理粘结带，同时该粘结带具有耐储存性并且由不造成大的生态负担的原料构成。本专利技术的另一个目的在于提供一种制造晶片处理粘结带的方法，这种方法能够提供稳定的产品质量并且能够降低有害物质副产物的量，和/或降低生产线中能量的消耗或浪费，这种方法的生产加工条件对环境比较适应。本专利技术的又一个目的在于提供一种能够充分利用晶片处理粘结带特性的方法。也就是说，本专利技术涉及一种具有粘结层的晶片处理粘结带，该粘结层在基底层一面上，这种粘结带使直径为6英寸大小的硅质晶片粘结到所述的粘结层，并且当用切割机在15-35℃下以70mm/min的速度将硅质晶片切割成3mm2大小的电路片时，将晶片背面磨到400μm厚，使从硅质晶片获得的电路片90％以上具有最大长度不超过30μm的豁口、凹痕或裂缝。切割水维持在20℃的温度。一种晶片处理粘结带代表了本专利技术的优选实例，其中所述的豁口、凹痕或裂缝最大长度不超过10μm的电路片。本专利技术涉及一种晶片处理粘结带，其包括一种在基底的一面具有粘结层的粘结带，其中，其粘结层在15-35℃的储存系数G’等于或大于1Mpa。一种晶片处理粘结带代表了本专利技术的优选实施例，其中所述粘结层在15-35℃，作为损失系数G”与储存系数G’的比，即tanδ等于或大于0.05。一种晶片处理粘结带代表本专利技术的另一个优选实施例，其中所述粘结层包括作为基本成份的石蜡聚合物。一种晶片处理粘结带代表本专利技术的又一个优选实施例，其中所述粘结层包括作为基本成份的一种类型或二种以上类型的α-石蜡共聚合物的混合，这种α-石蜡共聚合物包括至少两种类型的具有2-12碳原子的α-石蜡作为基本单元成分。一种晶片处理粘结带代表本专利技术的又一个优选实施例，其中，所述粘结带包括所述的α-石蜡共聚合物、一种热塑性弹性体和一种乙烯和另一种α-石蜡的共低聚物，并且α-石蜡共聚合物组成一个连续的相，热塑性弹性体组成一个分散相。一种晶片处理粘结带代表本专利技术的又一个优选实施例，其中，所述热塑性弹性体是一种由式子A-B-A或A-B表示的嵌段共聚合物，其中，A是一种芳香族乙烯化合物聚合块或一种结晶性的石蜡聚合块，B是一种二烯化合物聚合块或一种由氢化二烯化合物聚合块衍生的石蜡聚合块。一种晶片处理粘结带代表本专利技术的又一个优选实施例，其中，所述α-石蜡的共聚物优选为由丙烯、1-丁烯和具有5-12个碳原子的α-石蜡的共聚合衍生的α-石蜡的共聚合物，所述具有5-12个碳原子的α-石蜡优选为4-甲基-1-戊烯。由一或多层组成并且包括作为基本成份的石蜡聚合物的基底层较为优选。一种晶片处理粘结带代表本专利技术的又一个优选实施例，其中，根据参考文献JIS Z0237规定的程序，在20-80℃的温度范围内测量，所述的粘结带的探测粘着力具有一个0.O1-1N/5mm直径。优选晶片处理粘结带具有根据一个共挤压工序形成的基底层和粘结层。本专利技术进一步涉及一种制造具有由一层或多层组成的基底层和层压在所述基底层一面的粘结层的晶片处理粘结带的方法，包括利用一个多层模的共挤压工序，其中，构成基底层和粘结层的聚合物的熔体流动率(MFR)(ASTM D 1238，载重2.16kg在230℃下测定)为5-40g/min，邻接层之间的MFR差小于10g/10min，制造的操作条件是熔化温度是200-2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片处理粘结带，其在基底层的一面具有一层粘结层，所述晶片处理粘结带可以使一个６英寸直径的硅质晶片粘到所述的粘结层上并且将其底面磨薄到４００μｍ的厚度，当利用切割机在１５－３５℃，切割速度为７０ｍｍ／ｍｉｎ，切割水维持在２０℃下将硅质晶片全部切割成３ｍｍ↑［２］大小的电路片时，从而完成加工具有豁口或凹痕或裂缝最大长度小于等于３０μｍ的电路片，所产生的豁口或凹痕或裂缝最大长度小于３０μｍ的电路片的生产达到了占从硅质晶片上切割的电路片总数的９０％以上。

【技术特征摘要】
JP 2000-11-22 356807/001.一种晶片处理粘结带，其在基底层的一面具有一层粘结层，所述晶片处理粘结带可以使一个6英寸直径的硅质晶片粘到所述的粘结层上并且将其底面磨薄到400μm的厚度，当利用切割机在15-35℃，切割速度为70mm/min，切割水维持在20℃下将硅质晶片全部切割成3mm2大小的电路片时，从而完成加工具有豁口或凹痕或裂缝最大长度小于等于30μm的电路片，所产生的豁口或凹痕或裂缝最大长度小于30μm的电路片的生产达到了占从硅质晶片上切割的电路片总数的90％以上。2.根据权利要求1所述的晶片处理粘结带，其中所述的豁口或凹痕或裂缝最大长度小于等于10μm。3.一种晶片处理粘结带，其包括在基底层的一面上具有一粘结层的粘结带，其中所述粘结层的储存系数G’在15-35℃下等于大于1MPa。4.根据权利要求3所述的一种晶片处理粘结带，其中所述粘结层在15-35℃下损失系数G”与储存系数G’之比，即tanδ等于大于0.05。5.根据权利要求1-4任意一项所述的晶片处理粘结带，其中所述粘结层包括作为其基本成份的石蜡聚合物。6.根据权利要求1-4任意一项所述的晶片处理粘结带，其中所述粘结层包括作为其基本成份的一种类型或者二种或多种类型的α-石蜡共聚合物，所述α-石蜡共聚合物包括作为其基本单元成份的至少二种类型的选自具有2-12个碳原子的α-石蜡。7.根据权利要求1-4任意-项所述的晶片处理粘结带，其中所述粘结层包括所述α-石蜡共聚合物、热塑性弹性体和乙烯与另-种α-石蜡的共低聚合物，α-石蜡共聚合物构成了一个连续相，热塑性弹性体构成了一个分散相。8.根据权利要求7所述的晶片处理粘结带，其中所述热塑性弹性体是一种由式子A-B-A或A-B表示的嵌段共聚合物，其中，A是一种芳香族乙烯化合物聚合块或一种结晶性的石蜡聚合块，B...

【专利技术属性】
技术研发人员：相原伸，古贺仁，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]