液晶显示装置的阵列面板及其制造方法制造方法及图纸

一种液晶显示装置的阵列面板，包括：基板；位于基板上的栅极线和栅极，其中栅极线与栅极连接；位于栅极线和栅极上的栅绝缘层；位于栅绝缘层上的有源层；位于有源层上的欧姆接触层；位于欧姆接触层上的数据线、源极和漏极，其中数据线、源极和漏极由钼形成；位于数据线、源极和漏极上的钝化层；和位于钝化层上的像素电极，其中欧姆接触层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，而除了位于源极与漏极之间的沟道区域以外，有源层具有与数据线、源极、漏极相同的形状，该沟道区域具有“Ｕ”形。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本申请请求保护2001年10月25日递交的韩国专利申请No.P2001-65911的利益，在这里通过引用将其合并进来。通常，液晶显示(LCD)装置具有上基板和下基板，彼此有一定间隔和互相正对。形成在两个基板上的多个电极相互正对。液晶夹在上基板和下基板之间。电压通过每个基板上的电极作用到液晶上，然后根据所作用的电压改变液晶分子的排列从而显示图像。因为如上所述液晶显示装置不发射光，它需要光源来显示图像。因此，液晶显示装置具有位于液晶面板后面作为光源的背光源。根据液晶分子的排列控制从背光源入射的光量从而显示图像。由于高清晰度和快速移动的图像，具有矩阵类型的像素的有源矩阵LCD装置已经广泛地使用。有源矩阵LCD装置的阵列面板包括多个薄膜晶体管(TFTs)和多个像素电极，每个像素电极都与一个TFT连接。在下文中，将参照附图说明图1和图2详细描述传统有源矩阵液晶显示装置的阵列面板。图1是传统LCD装置的阵列面板的平面图，而图2是沿着图1中II-II线的剖面图。在图1和图2中，阵列面板包括透明基板10，和形成在基板10上的栅极线21和栅极22。栅极线21水平地延伸并且栅极22与栅极线21连接。栅绝缘层30覆盖栅极线21和栅极22。在栅绝缘层30上顺序形成有源层41和欧姆接触层51和52。数据线61、源极62和漏极63形成在欧姆接触层51和52上。同样地，由与数据线61相同的材料制成的电容电极65形成在栅绝缘器30上。数据线61与栅极线21垂直，源极62与数据线61连接。源极62和漏极63在栅极22上彼此相隔一段间距。电容电极65与部分栅极线21重叠，然后通过形成电容电极65和重叠的栅极线21得到储能电容器。钝化层70覆盖数据线61、源极62、漏极63和电容电极65。钝化层70具有分别使得漏极63和电容电极65暴露的第一接触孔71和第二接触孔72。像素电极81形成在钝化层70上。像素电极81布置在栅极线21与数据线61相互交叉的像素区域中。同样地，像素电极81通过第一和第二接触孔71、72分别与漏极62和电容电极65连接。图3A至3E表示制造传统的LCD装置的阵列面板的制造步骤，并且是对应于图1中II-II线的剖面图。图3A表示制造传统的LCD装置的阵列面板的第一个步骤。在图3A中，通过将金属材料铺设在基板10上和通过第一掩模使得金属材料形成图形，在基板10上形成栅极线21和栅极22。图3B表示制造传统的LCD装置的阵列面板的下一个步骤。在图3B中，栅绝缘层30、非晶硅层和掺杂质的非晶硅层铺设在包括栅极线21的基板10上。利用第二掩模在光刻处理过程中蚀刻非晶硅层和掺杂质的非晶硅层。然后，有源层41和掺杂质的半导体层53形成在上面。图3C表示形成传统的LCD装置的阵列面板的数据线的步骤。在图3C中，金属层铺设在包括有源层41和掺杂质的半导体层53的基板10上，并且通过第三掩模形成图案。因此，数据线61(图1中所示)、源极62、漏极63和电容电极65形成在上面。接下来，蚀刻在源极62与漏极63之间暴露的掺杂质的半导体层53。然后在该步骤中完成欧姆接触层51和52。图3D表示形成传统的LCD装置的阵列面板的钝化层的步骤。在图3D中，形成钝化层70来覆盖数据线61、源极62、漏极63和电容电极65。并且，利用第四掩模蚀刻钝化层70。因此，钝化层70具有第一接触孔71和第二接触孔72。第一接触孔71和第二接触孔72分别暴露漏极63和电容电极65。图3E表示形成传统的LCD装置的阵列面板的像素电极的步骤。在图3E中，透明导电材料铺设在钝化层70上并且利用第五掩模进行蚀刻，然后形成像素电极81。像素电极81通过第一和第二接触孔71、72分别与漏极63和电容电极65接触。如上所述，利用五个掩模通过光刻法处理制造传统的LCD装置的阵列面板。光刻法处理包括清洗、涂敷光敏抗蚀剂层、通过掩模暴露、使得光敏抗蚀剂层显影和蚀刻几个步骤。因此，通过减少光刻法步骤的数量可以降低制造时间、成本和故障。本专利技术的另一个目的在于，提供一种低成本短时间内制造的液晶显示装置的阵列面板。本专利技术的另一个目的在于提供一种面板阵列的制造方法，由于较短的处理时间和较低的成本而提高生产率。将在下面的说明中给出本专利技术的其他特征和优点，将从下面的说明中更清楚，或者可以从本专利技术的实践中了解到。通过具体在书面的说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构实现和达到本专利技术的目的和其他优点。为了实现这些和其他优点并且与本专利技术的目的一致，如在这里具体化和广泛描述的，一种液晶显示装置的阵列面板包括基板、位于基板上的栅极线和栅极，其中栅极线与栅极连接；位于栅极线和栅极上的栅绝缘层、位于栅绝缘层上的有源层、位于有源层上的欧姆接触层、位于欧姆接触层上的数据线、源极和漏极，其中数据线、源极和漏极由钼形成；位于数据线、源极和漏极上的钝化层，和位于钝化层上的像素电极，其中欧姆接触层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，而除了位于源极与漏极之间的沟道区域以外，有源层具有与数据线、源极、漏极相同的形状，该沟道区域具有“U”形。在本专利技术的另一部分中，制造液晶显示装置的阵列面板的方法包括在基板上形成栅极线和栅极，在栅极线和栅极上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成有源层，在有源层上形成欧姆接触层，在欧姆接触层上形成数据线、源极和漏极，其中数据线、源极和漏极由钼形成，在数据线、源极和漏极上形成钝化层，和在钝化层上形成像素电极，其中欧姆接触层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，除了位于源极与漏极之间的沟道区域以外，有源层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，该沟道区域具有“U”形。在本专利技术的另一部分中，制造液晶显示装置的阵列面板的方法包括步骤利用第一掩模在基板上形成栅极线和栅极；按顺序在基板上形成栅绝缘层、非晶硅层、掺杂质的非晶硅层和金属层；利用第二掩模形成有源层、欧姆接触层、数据线、源极和漏极；利用第三掩模形成钝化层；和利用第四掩模在钝化层上形成像素电极，其中位于源极和漏极之间的沟道区域具有“U”形。将会理解前面给出的概述性的描述和下面示范性地和说明性地给出的详细描述，并且准备给出如权利要求所限定的本专利技术的更详细的解释。在附图中图1是表示传统液晶显示装置的阵列面板的平面图；图2是沿图1中II-II线的剖面图；图3A-3E是表示传统的液晶显示装置的阵列面板的制造步骤的剖面图；图4是表示根据本专利技术的液晶显示装置的阵列面板的平面图；图5是沿图4中V-V线的剖面图；图6A和6B，图7A至7E，和图8A和8B表示根据本专利技术的液晶显示装置的阵列面板的制造步骤；和图9表示根据本专利技术的掩模的形状。具体实施例现在将详细说明本专利技术的优选实施例，在所附附图中给出了它们的例子。在尽可能的情况下，在所有的附图中采用同样的附图标记指代相同或相似的部分。图4是根据本专利技术的液晶显示装置的阵列面板的平面图，而图5是沿着图4中V-V线的剖面图。如图4和5中所示，栅极线121、栅极122、第一屏蔽图案124和第二屏蔽图案125形成在基板110上。栅极线121水平地延伸，并且栅极122与栅极线121连接。第一和第二屏蔽图案124、125在栅极线121之间垂直延伸。第一屏蔽图案124与其他部分隔离而第二屏蔽图案125与栅极线121连接。第一屏蔽图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置的阵列面板，包括： 基板； 位于基板上的栅极线和栅极，其中栅极线与栅极连接； 位于栅极线和栅极上的栅绝缘层； 位于栅绝缘层上的有源层； 位于有源层上的欧姆接触层； 位于欧姆接触层上的数据线、源极和漏极，其中数据线、源极和漏极由钼形成； 位于数据线、源极和漏极上的钝化层；和 位于钝化层上的像素电极，其中欧姆接触层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，而除了位于源极与漏极之间的沟道区域以外，有源层具有与数据线、源极、漏极相同的形状，该沟道区域具有“Ｕ”形。

【技术特征摘要】
KR 2001-10-25 P-2001-659111.一种液晶显示装置的阵列面板，包括基板；位于基板上的栅极线和栅极，其中栅极线与栅极连接；位于栅极线和栅极上的栅绝缘层；位于栅绝缘层上的有源层；位于有源层上的欧姆接触层；位于欧姆接触层上的数据线、源极和漏极，其中数据线、源极和漏极由钼形成；位于数据线、源极和漏极上的钝化层；和位于钝化层上的像素电极，其中欧姆接触层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，而除了位于源极与漏极之间的沟道区域以外，有源层具有与数据线、源极、漏极相同的形状，该沟道区域具有“U”形。2.根据权利要求1的面板，还包括第一屏蔽图案，由与栅极线相同的材料制成并且与数据线平行。3.根据权利要求2的面板，其中第一屏蔽图案覆盖至少一部分像素电极。4.根据权利要求2的面板，其中第一屏蔽图案在两端具有多个覆盖数据线的突出部分。5.根据权利要求2的面板，还包括与第一屏蔽图案平行的第二屏蔽图案。6.根据权利要求5的面板，其中第二屏蔽图案覆盖至少一部分像素电极。7.根据权利要求5的面板，其中第二屏蔽图案与栅极线连接。8.根据权利要求1的面板，其中漏极包括与栅极线平行的第一部分和从第一部分伸出的第二部分。9.根据权利要求8的面板，其中第一部分覆盖至少一部分像素电极。10.根据权利要求8的面板，其中第二部分具有多个凸起并且通过接触孔暴露。11.根据权利要求1的面板，其中像素电极覆盖至少一部分栅极。12.根据权利要求1的面板，其中“U”形是基本上完全对称的。13.一种液晶显示装置的阵列面板的制造方法，包括在基板上形成栅极线和栅极；在栅极线和栅极上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成有源层；在有源层上形成欧姆接触层；在欧姆接触层上形成数据线、源极和漏极，其中数据线、源极和漏极由钼形成；在数据线、源极和漏极上形成钝化层；和在钝化层上形成像素电极，其中欧姆接触层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，除了位于源极与漏极之间的沟道区域以外，有源层具有与数据线、源极和漏极相同的形状，该沟道区域具有“U”形。14.根据权利要求13的方法，其中形成栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：金容完，朴东振，
申请(专利权)人：LG菲利浦LCD株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]