半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供依次层叠的基底、栅介质层以及未掺杂的多晶硅层；进行热掺杂工艺，在所述多晶硅层内掺杂第一掺杂离子；进行离子注入工艺，在所述多晶硅层的预设区域内掺杂第二掺杂离子，在垂直于所述基底表面的方向上，所述预设区域与所述多晶硅层背离所述栅介质层的表面之间具有预设间距。本发明专利技术有利于减小半导体结构的电容等效厚度，增大半导体结构的电容。增大半导体结构的电容。增大半导体结构的电容。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]晶体管的电容大小是晶体管的性能指标之一，现有技术常通过减薄栅介质层的实体厚度提高晶体管的电容大小，但是这样做存在着栅介质层过薄而被击穿的风险。
[0003]当前主要采取的技术手段是在栅介质层厚度不变的情况下，减薄栅极耗尽层的厚度，从而起到减小电容等效厚度，增大晶体管电容的目的。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，有利于减小半导体结构的电容等效厚度，提高半导体结构的电容。
[0005]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，提供依次层叠的基底、栅介质层以及未掺杂的多晶硅层；进行热掺杂工艺，在所述多晶硅层内掺杂第一掺杂离子；进行离子注入工艺，在所述多晶硅层的预设区域内掺杂第二掺杂离子，在垂直于所述基底表面的方向上，所述预设区域与所述多晶硅层背离所述栅介质层的表面之间具有预设间距。
[0006]另外，所述预设间距为1nm～10nm本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供依次层叠的基底、栅介质层以及未掺杂的多晶硅层；进行热掺杂工艺，在所述多晶硅层内掺杂第一掺杂离子；进行离子注入工艺，在所述多晶硅层的预设区域内掺杂第二掺杂离子，在垂直于所述基底表面的方向上，所述预设区域与所述多晶硅层背离所述栅介质层的表面之间具有预设间距。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预设间距为1nm～10nm。3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子不同，所述第二掺杂离子的重量小于所述第一掺杂离子的重量。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掺杂离子包括硼离子、氟化硼离子或二氟化硼离子中的至少一者。5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述热掺杂工艺包括依次进行的掺杂工艺和第一热处理工艺，所述掺杂工艺在所述多晶硅层远离所述栅介质层的表层区域内掺杂所述第一掺杂离子，所述第一热处理工艺使所述第一掺杂离子在所述多晶硅层内扩散。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：元大中，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：