温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供依次层叠的基底、栅介质层以及未掺杂的多晶硅层；进行热掺杂工艺，在所述多晶硅层内掺杂第一掺杂离子；进行离子注入工艺，在所述多晶硅层的预设区域内掺杂第二掺杂离子，在垂直于所述基底表面的方向上，...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。