T形栅极的制造方法、高电子迁移率晶体管技术

本申请公开了一种T形栅极的制造方法、高电子迁移率晶体管，方法包括：在基板的表面沉积氧化物层并涂布i线光刻胶；进行i线光刻机曝光，并对氧化物层进行刻蚀直至露出基板，以形成第一宽度的氧化物层开口；在所述开口的两侧对部分厚度的氧化物层进行第二次刻蚀，使该厚度的氧化物层开口达到第二宽度，所述第二宽度大于第一宽度；沉积金属层后减薄金属层直至露出氧化物层，去除基板表面剩余的氧化物层形成T形栅极。本申请通过使用低成本的材料i线光刻胶和氧化物取代高成本材料，并使用i

【技术实现步骤摘要】
T形栅极的制造方法、高电子迁移率晶体管


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种T形栅极的制造方法、高电子迁移率晶体管。

技术介绍

[0002]影响HEMT(高电子迁移率晶体管)器件性能的半导体工艺中，栅的制造是最为困难的。为了提高器件的工作频率，必须不断缩小栅长。目前栅长尺寸已经达到深亚微米甚至纳米水平，但是栅长减小的同时，会带来其它一些问题，主要是栅电阻的增大，为此需要制作T形栅极来减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声。
[0003]在相关技术中，通过在基板上使用高成本的PMMA(Poly MethylMethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯，一种聚合体)层和Copolymer(共聚物)层，并通过E-beam(电子束)光刻机工艺完成T形栅极的制作，由于电子束光刻机光刻时间长且十分昂贵，并且使用PMMA和 Copolymer这两种材料的方案在成本和量产方面均不利，所以该方法效率低成本高。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是针对上述现有技术的不足提出的一种T形栅极的制造方法、高电子迁移率晶体管，该目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种T形栅极的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基板的表面沉积氧化物层并涂布i线光刻胶；进行i线光刻机曝光，并对氧化物层进行刻蚀直至露出基板，以形成第一宽度的氧化物层开口；在所述开口的两侧对部分厚度的氧化物层进行第二次刻蚀，使该厚度的氧化物层开口达到第二宽度，所述第二宽度大于第一宽度；沉积金属层后减薄金属层直至露出氧化物层，去除基板表面剩余的氧化物层形成T形栅极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行i线光刻机曝光，并对氧化物层进行刻蚀直至露出基板，以形成第一宽度的氧化物层开口，包括：进行i线光刻机曝光形成第三宽度的光刻胶开口；利用光刻胶流动工艺将第三宽度的光刻胶开口缩小至所述第一宽度；对第一宽度的光刻胶开口中露出的氧化物层进行刻蚀直至露出基板，形成第一宽度的氧化物层开口。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三宽度为450纳米～550纳米；所述第一宽度为70纳米～130纳米；所述第二宽度为430纳米～480纳米。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述开口的两侧对部分厚度的氧化物层进行第二次刻蚀，使该厚度的氧化物层开口达到第二宽度，包括：对i线光刻胶进行等向性刻蚀，以将第一宽度的光刻胶开口扩大至第第二宽度；对第二宽度的光刻胶开口中露出的氧化物层刻蚀部分厚度，使该厚度的氧化物层开口达到第二宽度。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在沉积金属层之前，对剩余的i线光刻胶进行灰化和剥离。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，减薄金属层直至露出氧化物层，包括：利用平坦化工艺减薄金属层直至露出氧化物层。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述平坦化工艺为化学机械平坦化CMP工艺或者回刻工艺。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除基板表面剩余的氧化物层形成T形栅极，包括：采用湿刻法去除基板表面剩余的氧化物层，并进行清洗，以形成T形栅极。9.一种T形栅极的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基板的表面涂布一层i线光刻胶并沉积旋涂SOC层后再涂布一层i线光刻胶；进行i线光刻机曝光，并对SOC层进行刻蚀直至露出底层i线光刻胶，以形成第一宽度的SOC层开口；形成所述SO...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔栽荣，刘智龙，贺晓彬，丁明正，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：